WikiDer > Силовой резистор

Force-sensing resistor

А чувствительный к силе резистор это материал, чей сопротивление меняется, когда сила, давление или механический стресс применяется. Они также известны как «чувствительные к силе резисторы» и иногда называются инициализм «ФСР».[1]

Использование FSR

История

Технология резисторов с датчиком силы была изобретена и запатентована в 1977 году Франклином Ивентоффом. В 1985 году Eventoff основал Интерлинк Электроникс,[2] компания, основанная на его силовом резисторе (FSR). В 1987 году Eventoff был удостоен престижной международной награды IR 100 за разработку FSR. В 2001 году Eventoff основал новую компанию Sensitronics,[3] что он в настоящее время работает.[4]

Характеристики

Чувствительные к силе резисторы состоят из проводящий полимер, который изменяет сопротивление предсказуемым образом после приложения силы к его поверхности.[5] Обычно они поставляются в виде полимерного листа или чернила что может быть применено снимок экрана. Чувствительная пленка состоит как из электропроводящих, так и из непроводящих частиц, взвешенных в матрице. Размер частиц составляет менее микрометра, и их состав разработан для уменьшения температурной зависимости, улучшения механических свойств и увеличения прочности поверхности. Приложение силы к поверхности чувствительной пленки заставляет частицы касаться проводящих электродов, изменяя сопротивление пленки. Как и все резистивные датчики, чувствительные к усилию резисторы требуют относительно простого интерфейса и могут удовлетворительно работать в умеренно агрессивных средах. По сравнению с другими датчиками силы преимущества FSR заключаются в их размере (обычно толщина менее 0,5 мм), низкой стоимости и хорошем качестве. ударопрочность. Недостатком является их низкая точность: результаты измерений могут отличаться на 10% и более. Конденсаторы чувствительные к силе обеспечивают превосходную чувствительность и долгосрочную стабильность, но требуют более сложной приводной электроники.

Принцип работы FSR

Есть два основных принципа работы силовых резисторов: просачивание и квантовое туннелирование. Хотя оба явления фактически происходят в проводящем полимере одновременно, одно явление преобладает над другим в зависимости от концентрации частиц.[6] Концентрация частиц также упоминается в литературе как объемная доля наполнителя. .[7] Совсем недавно были найдены новые механистические объяснения для объяснения характеристик резисторов, чувствительных к силе; они основаны на свойстве Контактное сопротивление возникающий между электродами датчика и проводящим полимером. В частности, силовой переход от Контакты Sharvin к обычным Holm контакты.[8] В Контактное сопротивление, , играет важную роль в токопроводимости силовых резисторов двояким образом. Во-первых, для данной заявки стресс , или же сила между электродами датчика и частицами полимера возникает пластическая деформация, что снижает Контактное сопротивление.[9][10] Во-вторых, неровная поверхность полимера сглаживается под действием дополнительных сил, и, следовательно, создается больше путей контакта; это приводит к увеличению эффективной площади проводимости тока. .[10] В макроскопическом масштабе поверхность полимера гладкая. Однако под растровый электронный микроскоп, проводящий полимер имеет неправильную форму из-за агломерации полимерного связующего.[11]

На сегодняшний день не существует всеобъемлющей модели, способной предсказать все нелинейности, наблюдаемые в резисторах с датчиком силы. Множественные явления, происходящие в проводящем полимере, оказываются слишком сложными, чтобы охватить их все одновременно; это состояние типично для систем, заключенных в физика конденсированного состояния. Однако в большинстве случаев экспериментальное поведение резисторов, чувствительных к силе, может быть грубо приближено к теория перколяции или к уравнениям квантового туннелирования через прямоугольный потенциальный барьер.

Перколяция в FSR

Явление перколяции преобладает в проводящем полимере, когда концентрация частиц выше порог перколяции . Чувствительный к силе резистор, работающий на основе перколяции, демонстрирует положительный коэффициент давления, и, следовательно, приращение приложенного давления вызывает приращение электрическое сопротивление ,[12][13] Для данного приложенного напряжения , удельное электрическое сопротивление проводящего полимера можно рассчитать по формуле:[14]

куда соответствует предварительному коэффициенту в зависимости от транспортных свойств проводящего полимера и - критический показатель проводимости.[15] В режиме перколяции частицы отделяются друг от друга при приложении механического напряжения, что приводит к чистому увеличению сопротивления устройства.

Квантовое туннелирование в FSR

Квантовое туннелирование является наиболее распространенным режимом работы силовых резисторов. Проводящий полимер, работающий на основе квантового туннелирования, демонстрирует уменьшение сопротивления при возрастающих значениях напряжения. . Коммерческие FSR, такие как FlexiForce,[16] Интерлинк [17] и Ператех [18] датчики работают на основе квантового туннелирования. Датчики Peratech также упоминаются в литературе как квантовый туннельный композит.

Операция квантового туннелирования подразумевает, что среднее расстояние между частицами уменьшается, когда проводящий полимер подвергается механической нагрузке, такое уменьшение вызывает увеличение вероятности прохождения частицы в соответствии с уравнениями для прямоугольный потенциальный барьер.[19] Точно так же контактное сопротивление уменьшается при увеличении приложенных сил. Чтобы работать на основе квантового туннелирования, концентрация частиц в проводящем полимере должна поддерживаться ниже порога перколяции. .[6]

Несколько авторов разработали теоретические модели квантовой туннельной проводимости FSR.[20][21] некоторые модели основываются на уравнениях прохождения частиц через прямоугольный потенциальный барьер. Однако практическое использование таких уравнений ограничено, поскольку они сформулированы в терминах электронной энергии. которое следует распределению вероятностей Ферми-Дирака, т.е. энергия электронов не определена априори или не может быть установлена ​​конечным пользователем. Аналитический вывод уравнений для Прямоугольный потенциальный барьер в том числе распределение Ферми-Дирака было найдено в 60-х годах Симмонсом.[22] Такие уравнения связывают плотность тока с внешним приложенным напряжением на датчике . Тем не мение, на практике сложно измерить, поэтому преобразование обычно применяется в литературе при работе с FSR.

Так же, как в уравнениях для прямоугольный потенциальный барьер, уравнения Симмонса кусочны по величине , т.е. в зависимости от и от высоты прямоугольного потенциального барьера . Простейшее уравнение Симмонса [22] относится с , когда как следующее:

куда в единицах электрон-вольт, , - масса и заряд электрона соответственно, а это Постоянная ПланкаУравнение низкого напряжения модели Симмонса [22] является фундаментальным для моделирования текущей проводимости FSR. Фактически, наиболее широко распространенная модель туннельной проводимости была предложена Zhang et al.[23] на основе такого уравнения. Перекомпоновав вышеупомянутое уравнение, можно получить выражение для сопротивления проводящего полимера , куда дается частным согласно Закон Ома:

Когда проводящий полимер полностью разгружен, можно установить следующее соотношение между межчастичным разделением в состоянии покоя. , объемная доля наполнителя и диаметр частиц :

Аналогичным образом можно установить следующее соотношение между межчастичным разделением и стресс

куда это Модуль для младших проводящего полимера. Наконец, объединив все вышеупомянутые уравнения, модель Чжана [23] получается следующим образом:

Хотя модель Zhang et al. был широко принят многими авторами,[11][9] он не смог предсказать некоторые экспериментальные наблюдения, о которых сообщалось в силовых резисторах. Вероятно, самое сложное для прогнозирования явление - это снижение чувствительности. При динамической нагрузке чувствительность некоторых резисторов, чувствительных к силе, снижается.[24][25] На сегодняшний день физическое объяснение такого явления не предоставлено, но экспериментальные наблюдения и более сложное моделирование некоторыми авторами продемонстрировали, что ухудшение чувствительности - это явление, связанное с напряжением, которого можно избежать, выбрав подходящее управляющее напряжение в экспериментальных условиях. настраивать.[26]

Модель, предложенная Паредес-Мадрид и др.[10] использует весь набор уравнений Симмонса [22] и охватывает контактное сопротивление внутри модели; это означает, что внешнее приложенное напряжение к датчику делится между туннельным напряжением и падение напряжения на контактном сопротивлении как следующее:

Заменив датчик тока в приведенном выше выражении можно определить как функцию контактного сопротивления и как следующее:

и контактное сопротивление дан кем-то:

куда - сопротивление проводящих наночастиц и , это экспериментально определенные факторы, которые зависят от материала поверхности раздела между проводящим полимером и электродом. Наконец, выражения, относящиеся к току датчика с являются кусочными функциями, как и уравнения Симмонса [22] находятся:

Когда

Когда

Когда

В приведенных выше уравнениях эффективная площадь туннельной проводимости определяется как возрастающая функция, зависящая от приложенного напряжения , а коэффициенты , , подлежит экспериментальному определению. Эта формулировка учитывает прирост количества путей проводимости с напряжением:

Текущие тенденции исследований в области FSR

Хотя приведенная выше модель [10] не может описать нежелательное явление деградации чувствительности, включение реологический Model предсказывает, что дрейф можно уменьшить, выбрав подходящее напряжение источника; это утверждение подтверждено экспериментальными наблюдениями.[26] Другой подход к уменьшению дрейфа заключается в использовании невыровненных электродов, чтобы минимизировать влияние ползучести полимера.[27] В настоящее время прилагаются большие усилия для улучшения характеристик FSR с помощью нескольких различных подходов: углубленное моделирование таких устройств для выбора наиболее подходящей схемы управления,[26] изменение конфигурации электродов для минимизации дрейфа и / или гистерезиса,[27] изучение новых типов материалов, таких как углеродные нанотрубки,[28] или решения, сочетающие вышеупомянутые методы.

Использует

Чувствительные к силе резисторы обычно используются для создания "кнопок", чувствительных к давлению, и находят применение во многих областях, включая музыкальные инструменты, датчики присутствия в автомобиле, протезы, Пронация стопы системы и портативная электроника. Они также используются в Смешанный или же Дополненная реальность системы[29] а также для улучшения мобильного взаимодействия.[30][31]


Смотрите также

  • Велостат - используется для изготовления датчиков для любителей

Рекомендации

  1. ^ Определения FSR
  2. ^ «Интерлинк Электроникс».
  3. ^ Физика и радиоэлектроника. «Резистор, чувствительный к силе».
  4. ^ Сенситроника
  5. ^ Тактильные датчики
  6. ^ а б Стасси, С; Cauda, ​​V; Канавезе, G; Пирри, К. (14 марта 2014 г.). «Гибкое тактильное зондирование на основе пьезорезистивных композитов: обзор». Датчики. 14 (3): 5296–5332. Дои:10,3390 / с140305296. ЧВК 4003994. PMID 24638126.
  7. ^ Блур, D; Доннелли, К; Руки, П; Лафлин, П; Люсси, Д. (5 августа 2005 г.). «Металлополимерный композит с необычными свойствами» (PDF). Журнал физики D. 38 (16): 2851. Bibcode:2005JPhD ... 38.2851B. Дои:10.1088/0022-3727/38/16/018.
  8. ^ Микраджуддин, А; Ши, Ф; Kim, H; Окуяма, К. (24 апреля 2000 г.). «Сопротивление электрическому сужению в зависимости от размера для контактов произвольного размера: от границ Шарвина до границ Холма». Материаловедение в обработке полупроводников. 2 (4): 321–327. Дои:10.1016 / S1369-8001 (99) 00036-0.
  9. ^ а б Калантари, М; Даргахи, Дж; Ковечес, Дж; Мардаси, М; Нури, S (2012). «Новый подход к моделированию пьезорезистивных датчиков силы на основе полупроводниковых полимерных композитов» (PDF). Транзакции IEEE / ASME по мехатронике. 17 (3): 572–581. Дои:10.1109 / TMECH.2011.2108664.
  10. ^ а б c d Паредес-Мадрид, L; Паласио, С; Matute, A; Парра, К. (14 сентября 2017 г.). «Основы физики проводящих полимерных композитов и силовых резисторов (FSR) в условиях статической нагрузки». Датчики. 17 (9): 2108. Дои:10,3390 / с17092108. ЧВК 5621037. PMID 28906467.
  11. ^ а б Ван, L; Дин, Т; Ван, П. (30 июня 2009 г.). «Влияние концентрации технического углерода на пьезорезистивность композитного силиконового каучука, наполненного техническим углеродом». Углерод. 47 (14): 3151–3157. Дои:10.1016 / j.carbon.2009.06.050.
  12. ^ Knite, М; Тетерис, В; Киплока, А; Каупуз Дж (15 августа 2003 г.). «Нанокомпозиты полиизопрен-углеродная сажа как материалы для датчиков деформации при растяжении и давления». Датчики и исполнительные механизмы A: физические. 110 (1–3): 142–149. Дои:10.1016 / j.sna.2003.08.006.
  13. ^ Yi, H; Донгруй, Вт; Сяо-Ман, Z; Повесить, Z; Цзюнь-Вэй, Z; Жи-Минь, Д. (24 октября 2012 г.). «Положительное пьезорезистивное поведение электрически проводящих алкил-функционализированных нанокомпозитов графен / полидиметилсиликон». J. Mater. Chem. C. 1 (3): 515–521. Дои:10.1039 / C2TC00114D.
  14. ^ Баста, М; Пиччарелли, V; Стелла, Р. (1 октября 1993 г.). «Введение в перколяцию». Европейский журнал физики. 15 (3): 97–101. Bibcode:1994EJPh ... 15 ... 97B. Дои:10.1088/0143-0807/15/3/001.
  15. ^ Чжоу, Дж; Песня, Y; Чжэн, Q; Ву, Q; Чжан, М. (2 февраля 2008 г.). «Перколяционный переход и гидростатическое пьезосопротивление для вулканизатов из поли (метилвинилсилиоаксена) с сажей». Углерод. 46 (4): 679–691. Дои:10.1016 / j.carbon.2008.01.028.
  16. ^ Tekscan, Inc. «FlexiForce, стандартные датчики силы и нагрузки, модель A201. Техническое описание» (PDF).
  17. ^ Интерлинк Электроникс. «Техническое описание серии FSR400» (PDF).
  18. ^ Peratech, Inc. "Техническое описание серии QTC SP200. Одноточечные датчики" (PDF).
  19. ^ Канавезе, G; Стасси, С; Fallauto, C; Корбеллини, S; Cauda, ​​V (23 июня 2013 г.). «Пьезорезистивный гибкий композит для тактильных приложений роботов». Датчики и исполнительные механизмы A: физические. 208: 1–9. Дои:10.1016 / j.sna.2013.11.018.
  20. ^ Ли, С; Thostenson, E; Chou, T-W (29 ноября 2007 г.). «Доминирующая роль туннельного сопротивления в электропроводности композитов на основе углеродных нанотрубок». Письма по прикладной физике. 91 (22): 223114. Bibcode:2007АпФЛ..91в3114Л. Дои:10.1063/1.2819690.
  21. ^ Лантада, А; Lafont, P; Муньос, Дж; Munoz-Guijosa, J; Эчаварри, Дж. (16 сентября 2010 г.). «Квантовые туннельные композиты: определение характеристик и моделирование для продвижения их приложений в качестве датчиков». Датчики и исполнительные механизмы A: физические. 164 (1–2): 46–57. Дои:10.1016 / j.sna.2010.09.002.
  22. ^ а б c d е Симмонс, Дж (1963). «Эффект электрического туннеля между разнородными электродами, разделенными тонкой изолирующей пленкой». Журнал прикладной физики. 34 (9): 2581–2590. Bibcode:1963JAP .... 34.2581S. Дои:10.1063/1.1729774.
  23. ^ а б Сян-Ву, Z; Yi, P; Цян, З; Сяо-Су, Y (8 сентября 2000 г.). «Временная зависимость пьезосопротивления для полимерных композитов с проводником». Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics (Физика полимеров). 38 (21): 2739–2749. Bibcode:2000JPoSB..38.2739Z. Дои:10.1002 / 1099-0488 (20001101) 38:21 <2739 :: AID-POLB40> 3.0.CO; 2-O.
  24. ^ Lebosse, C; Renaud, P; Бейл, В; Мателин, М (2011). «Моделирование и оценка недорогих датчиков силы». IEEE Transactions по робототехнике. 27 (4): 815–822. Дои:10.1109 / TRO.2011.2119850.
  25. ^ Линь, L; Лю, S; Чжан, Q; Ли, Х; Джи, М; Дэн, Н; Фу, Q (2013). «На пути к регулируемой чувствительности электрических свойств к деформации для проводящих полимерных композитов на основе термопластичного эластомера». Прикладные материалы и интерфейсы ACS. 5 (12): 5815–5824. Дои:10.1021 / am401402x.
  26. ^ а б c Паредес-Мадрид, L; Matute, A; Бареньо, Дж; Parra, C; Гутьеррес, Э (21 ноября 2017 г.). «Основы физики проводящих полимерных композитов и резисторов, чувствительных к силе (FSR). Исследование отклика на ползучесть и динамической нагрузки». Материалы. 10 (11): 1334. Bibcode:2017 приятель ... 10.1334P. Дои:10.3390 / ma10111334. ЧВК 5706281. PMID 29160834.
  27. ^ а б Ван, L; Хан, Y; Wu, C; Хуанг, И (7 июня 2013 г.). «Решение для уменьшения зависимости выходного сопротивления вязкоупругого и пьезорезистивного элемента от времени». Умные материалы и конструкции. 22 (7): 075021. Bibcode:2013SMaS ... 22g5021W. Дои:10.1088/0964-1726/22/7/075021.
  28. ^ Cao, X; Wei, X; Li, G; Hu, C; Дай, К. (10 марта 2017 г.). «Деформационное поведение эпоксидных нанокомпозитов с углеродными нанотрубками при циклической деформации». Полимер. 112: 1–9. Дои:10.1016 / j.polymer.2017.01.068.
  29. ^ Иссартель, Поль; Безансон, Лонни; Изенберг, Тобиас; Амми, Мехди (2016). Ощутимый объем для портативного трехмерного взаимодействия. IEEE. arXiv:1603.02642. Дои:10.1109 / ismar-adjunct.2016.0079. ISBN 978-1-5090-3740-7.CS1 maint: ref = harv (связь)
  30. ^ Безансон, Лонни; Амми, Мехди; Изенберг, Тобиас (2017). Управление коэффициентом усиления на основе давления для мобильного 3D-взаимодействия с использованием локально связанных устройств. Нью-Йорк, Нью-Йорк, США: ACM Press. Дои:10.1145/3025453.3025890. ISBN 978-1-4503-4655-9.CS1 maint: ref = harv (связь)
  31. ^ Маклахлан, Росс; Брюстер, Стивен (2015). Бимануальный ввод для планшетных устройств с помощью нажатия и мультитач-жестов. Нью-Йорк, Нью-Йорк, США: ACM Press. Дои:10.1145/2785830.2785878. ISBN 978-1-4503-3652-9.CS1 maint: ref = harv (связь)