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Galliumnitride
Strukturdiagramm von Galliumnitrid.
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GalliumNitrid (GaN) ist a Halbleiter mit einem ziemlich großen Reifenlücke (3,7 eV), die um die Jahrtausendwende sehr populär wurde. Das Material ist für die Herstellung geeignet Festkörperlaser mit Wellenlängen im ultraviolett Feld des elektromagnetischen Spektrum. Galliumnitrid kann daher für die Herstellung von großer Bedeutung werden zeigt (zB Computerbildschirme) und in der Luft- und Raumfahrt, da Galliumnitrid aufgrund der großen Bandlücke gegenüber Weltraumstrahlung resistent ist. EIN X-BandSender auf GaN-Basis wurde im Mai 2013 an Bord der PROBA-V-Satellit.

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