WikiDer > Модель Гаммеля – Пуна

Gummel–Poon model
Схема модели Spice Gummel – Poon NPN

В Модель Гаммеля – Пуна это модель из биполярный переходной транзистор. Впервые это было описано в статье, опубликованной Герман Гуммель и Х. К. Пун в Bell Labs в 1970 г.[1]

Модель Гуммеля – Пуна и ее современные варианты широко используются в популярных схемотехнических симуляторах, таких как СПЕЦИЯ. Существенный эффект, который учитывает модель Гаммеля – Пуна, - это изменение транзистора. и ценности с постоянный ток уровень. Если некоторые параметры опущены, модель Гаммеля – Пуна сводится к более простой Модель Эберса – Молла.[1]

Параметры модели

Параметры модели Spice Gummel – Poon[2]

#ИмяСвойство
смоделированный
ПараметрЕдиницыДефолт
ценить
1ЯВЛЯЕТСЯТекущийтранспортный ток насыщенияА1×1016
2BFТекущийидеальный макс. форвардная бета100
3NFТекущийкоэффициент излучения прямого тока1
4VAFТекущийпрямое раннее напряжениеV
5IKFТекущийугол для сильноточного спада вперед-бетаА
6ISEТекущийB – E ток насыщения утечкиА0
7NEТекущийКоэффициент выбросов утечки B – E1.5
8BRТекущийидеальный макс. обратная бета1
9NRТекущийкоэффициент обратного тока эмиссии1
10VARТекущийобратное раннее напряжениеV
11ИКРТекущийугол для обратного бета-спада сильноточного токаА
12ISCТекущийТок насыщения утечки B – CА0
13NCТекущийКоэффициент выбросов утечки B – C2
14РБсопротивлениебазовое сопротивление нулевого смещенияΩ0
15IRBсопротивлениеток, при котором сопротивление базы падает наполовину до минимумаА
16УОРсопротивлениеминимальное сопротивление базы при больших токахΩРБ
17REсопротивлениесопротивление эмиттераΩ0
18RCсопротивлениесопротивление коллектораΩ0
19CJEемкостьB – E обедняющая емкость при нулевом смещенииF0
20VJEемкостьB – E встроенный потенциалV0.75
21MJEемкостьЭкспоненциальный множитель B – E перехода0.33
22TFемкостьидеальное время прохождения впередs0
23XTFемкостькоэффициент для смещения зависимости TF0
24VTFемкостьнапряжение, описывающее VBC-зависимость TFV
25ITFемкостьсильноточный параметр для воздействия на TFА0
26ПТФизбыточная фаза на частоте = 1 / (2π TF)°0
27CJCемкостьB – C обедняющая емкость при нулевом смещенииF0
28VJCемкостьB – C встроенный потенциалV0.75
29MJCемкостьЭкспоненциальный множитель B – C перехода0.33
30XCJCемкостьдоля обедненной емкости B – C, подключенной к внутреннему базовому узлу1
31TRемкостьидеальное время обратного прохожденияs0
32CJSемкостьнулевое смещение коллектор – емкость подложкиF0
33VJSемкостьвстроенный потенциал подложка – переходV0.75
34MJSемкостьэкспоненциальный множитель подложка – переход0
35XTBэкспонента температуры прямого и обратного бета0
36НАПРИМЕРэнергетическая щель для температурного воздействия ИСэВ1.1
37XTIтемпературная экспонента для эффекта IS3
38KFкоэффициент фликкер-шума0
39AFпоказатель мерцания шума1
40FCкоэффициент для формулы обедненной емкости прямого смещения0.5
41ТНОМпараметр измерения температуры° C27

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ а б Х. К. Гуммель и Х. К. Пун, "Интегральная модель управления зарядом биполярных транзисторов", Bell Syst. Tech. Дж., т. 49, стр. 827–852, май – июнь 1970 г.
  2. ^ Резюме модели со схемами и уравнениями.

внешняя ссылка