WikiDer > Игорь Грехов

Игорь Грехов
Действительный член РАН (2017).
Родившийся	(1934-09-10)10 сентября 1934 г. Смоленск, СССР
Гражданство	Россия
Образование	Баумана МГТУ
Известен	вклад в физику и технику силовых полупроводниковых приборов
Награды	Ленинская премия (1966) Государственная премия СССР (1987) Государственная премия России (2002)
Научная карьера
Поля	Силовая электроника
Учреждения	Иоффе
Докторант	Владимир Тучкевич [RU]

Внешний образ
Игорь Грехов (фото)

Игорь Всеволодович Грехов (русский: Игорь Всеволодович Грехов, родился 10 сентября 1934 г. в г. Смоленск) это Советский и русский физик и инженер-электрик, полноправный член из Российская Академия Наук.^[1] Он известен как один из основоположников индустрии силовых полупроводниковых устройств в Советском Союзе. Его вклад в области импульсных силовых устройств и преобразовательной техники был отмечен награждением Ленинская премия, две Государственные премии и несколько Государственных орденов России. В течение нескольких десятилетий он возглавлял лабораторию Физико-технический институт им. Иоффе В Санкт-Петербурге.

Профессиональная карьера

Грехов родился в Смоленске в семье школьных учителей, но его детство прошло в г. Симферополь, Крым.^[2]

После окончания средней школы Грехов изучал электротехнику в Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана. Затем несколько лет (1958–1962) проработал в промышленности, работал инженером-исследователем и заведующим лабораторией на заводе «Электровипрямитель» в г. Саранск (Мордовия, СССР).

В 1962 году Грехов поступил в Институт Иоффе в г. Ленинград и с тех пор более полувека является сотрудником института, последовательно занимая должности младшего, рядового и старшего научного сотрудника, руководителя группы и руководителя исследовательского сектора. В 1967 и 1975 годах он получил соответственно докторскую степень. и Доктор наук степени, как в области физики полупроводников.^[3] В 1982–2019 годах Грехов возглавлял лабораторию Силовой электроники. В период с 2004 по 2014 год он также занимал должность заведующего отделом твердотельной электроники института. Наряду с исследовательской деятельностью он читал курс полупроводниковых устройств в качестве профессора кафедры. Санкт-Петербургский политехнический университет (1984—1994).

В 1991 году Грехов был избран в соответствующие члены Академия наук СССР а в 2008 году поднялся до полноправный член в Российской академии наук.

Главные достижения

Исследования Грехова всегда были сосредоточены на физике твердотельные устройства, с особым моментом, связанным с их применением в силовая электроника. Его интересы охватывают все этапы от теоретических исследований до изготовления пробных образцов до координации массового производства силовых устройств, включая конвертеры. Его новаторский вклад в 1960-е и 1970-е годы обеспечил технологический прорыв для полупроводниковой промышленности и дал начало ее новой отрасли - разработке силовых полупроводниковых устройств - в Советском Союзе.

Наиболее важные результаты:^[4]

• Наблюдение эффекта равномерного переключения кремниевой тиристор структура при возбуждении YAG: Nd лазер импульсов, создание быстрых мощных переключатели (10 кВ, 30 кА, время нарастания импульса 20 нс) на основе этого эффекта;
• Открытие ударная ионизация фронты в высоковольтных pn-переходах, запускаемые крутым импульсом напряжения; это явление используется в сверхбыстрых переключателях, таких как точилки лавинных диодов или быстрая ионизация. динисторы, с временем нарастания импульса менее 100 пс;
• Изобретение (1982–1983 гг.) Открывающего выключателя нового типа, получившего название Дрейфовый восстанавливающий диод (DSRD), способный работать в диапазоне импульсной мощности от единиц до сотен мегаватт, и динистор обратного включения (RSD), позволяющий коммутировать токи мегампературного диапазона за десятки микросекунд. Самый мощный полупроводниковый переключатель, использующий RSD, сейчас используется в Российский федеральный ядерный центр;
• Предсказание нового физического воздействия туннелирование-содействие формированию ионизационного фронта в кремниевых устройствах. Было показано, что этот фронт ответственен за чрезвычайно быстрое (~ 20 пс) переключение устройств;
• Техническая идея нового устройства, конкурентоспособного с IGBT, - встроенный тиристор с внешним полевым управлением. Это устройство демонстрирует характеристики, аналогичные характеристикам IGBT, но не требует такого усовершенствованного технологического оборудования для производства;
• Создание Карбид кремния (SiC) устройства для силовой электроники, в частности размыкающих выключателей на основе SiC.

Исследования в лаборатории Грехова включают и другие проблемы физики полупроводниковых приборов: туннельные явления в MIS-конструкции, сегнетоэлектрик воспоминания, пористый кремний и сверхпроводящий керамика.

Награды

Репрезентативные публикации

• Грехов И. В. Импульсная генерация энергии в нано- и субнаносекундном диапазоне с помощью ионизирующих фронтов в полупроводниках: современное состояние и перспективы на будущее. IEEE Transactions по науке о плазме, 38:5 (2010), 1118–1123.
• Грехов И. В., Силовая полупроводниковая электроника и импульсная техника, Вестник Российской Академии Наук., 78:1 (2008), 22–30.
• Грехов И. В., Месяц Г. А. Наносекундные полупроводниковые диоды для импульсной коммутации мощности. Успехи физики, 48:7 (2005), 703–712.
• Родин П., Эберт У., Хундсдорфер В., Грехов И., Туннельные фронты ударной ионизации в полупроводниках. Журнал прикладной физики, 92:2 (2002), 958–964.
• Грехов И. В. Новые принципы коммутации большой мощности с полупроводниковыми приборами. Твердотельная электроника, 32:11 (1989), 923–930.

Всего Грехов является соавтором четырех книг, около 200 патентов и более 600 научных работ.

Рекомендации