WikiDer > Verarmungszone
In dem Halbleitertheorie ist ein Erschöpfungszone, Verarmungsgebiet oder Sperrschicht, ein Gebiet in a pn-Übergang bei denen keine Majoritätsladungsträger vorhanden sind, bei denen die Majoritätsladungsträger aufgebraucht sind. Somit ist in einer Verarmungszone kein Ladungstransport möglich, so dass die Verarmungszone eine elektrisch isolierende Schicht bildet.
Eine Verarmungszone bildet sich, weil die freien Elektronen in das n-dotierte Material wandern (diffundieren) zum p-dotierten Material, wo sie angefordert werden; es heißt: die freien elektronen rekombinieren mit den freien löchern im p-material. Das n-Material wird somit positiv geladen und das p-Material negativ. Das dabei gebildete elektrische Feld wirkt der Diffusion entgegen, so dass sich eine ansonsten temperaturabhängige Gleichgewichtslage einstellt.