WikiDer > Резистор, управляемый напряжением

Voltage-controlled resistor

А резистор, управляемый напряжением (Видеомагнитофон) - это трехконтактное активное устройство с одним входным портом и двумя выходными портами. Напряжение входного порта контролирует значение резистор между выходными портами. Видеомагнитофоны чаще всего строятся с полевые транзисторы (Полевые транзисторы). Часто используются два типа полевых транзисторов: JFET и МОП-транзистор. Есть оба плавающее напряжение управляемые резисторы и заземленные плавающие резисторы. Плавающие видеомагнитофоны можно разместить между двумя пассивными или активными компонентами. Заземленные видеомагнитофоны, более распространенная и менее сложная конструкция, требуют заземления одного порта резистора, управляемого напряжением.

Использование

Резисторы, управляемые напряжением, являются одними из наиболее часто используемых блоков аналоговой конструкции: адаптивные аналоговые фильтры,[1] схемы автоматической регулировки усиления, генераторы часов,[2] компрессоры,[3] электрометры,[4] комбайны энергии,[5] расширители,[6] слуховые аппараты,[7] диммеры,[8] модуляторы (смесители),[9] искусственные нейронные сети,[10] усилители с программируемым усилением,[11] фазированные решетки,[12] петли фазовой автоподстройки частоты,[13] схемы диммирования с фазовым управлением,[14] схемы фазовой задержки и опережения,[15] настраиваемые фильтры,[16] регулируемые аттенюаторы,[17] генераторы, управляемые напряжением,[18] мультивибраторы с регулируемым напряжением,[19] а также генераторы сигналов,[20] все включают резисторы с регулируемым напряжением.

В JFET является одним из наиболее распространенных активных устройств, используемых для создания резисторов с регулируемым напряжением. Настолько, что устройства JFET упаковываются и продаются как резисторы с регулируемым напряжением.[21] Обычно полевые транзисторы JFET, упакованные как видеомагнитофоны, часто имеют высокое напряжение отсечки, что приводит к большему диапазону динамического сопротивления. JFET для видеомагнитофонов часто упаковываются попарно, что позволяет создавать видеомагнитофоны, требующие согласованных параметров транзисторов.

Для приложений видеомагнитофона, которые включают усиление сигнала датчика или аудио, часто используются дискретные полевые транзисторы. Одна из причин заключается в том, что полевые транзисторы и топологии схем, построенные с использованием полевых транзисторов, обладают низким уровнем шума (особенно низким 1 /ж мерцающий шум и низкий уровень шума). В этих приложениях малошумящие полевые транзисторы обеспечивают более надежные и точные измерения и повышенный уровень чистоты звука.[22]

Еще одна причина использования дискретных полевых транзисторов JFET заключается в том, что они лучше подходят для работы в тяжелых условиях. JFET-транзисторы могут выдерживать электрические, электромагнитные помехи (EMI) и другие удары с высоким уровнем излучения лучше, чем схемы MOSFET.[23] JFET может даже служить устройством защиты от перенапряжения на входе.[24] JFET также менее восприимчивы к электростатическому разряду, чем MOSFET.[25]

Конструкция резистора, управляемого напряжением

Двумя наиболее распространенными и наиболее экономически эффективными конструкциями видеомагнитофонов с JFET являются нелинейные и линеаризованные видеомагнитофоны. Нелинейная конструкция требует только одного полевого транзистора. В линеаризованной конструкции также используется один полевой транзистор, но есть два резистора линеаризации. Линеаризованные конструкции используются для видеомагнитофонов, требующих высоких уровней входного напряжения сигнала. Нелинейные конструкции используются в приложениях с низким уровнем входного сигнала и дорогостоящем постоянном токе.

Нелинейный дизайн видеомагнитофона

Программируемый делитель напряжения на основе JFET VCR

В схеме на рисунке, нелинейной конструкции видеомагнитофона, резистор, управляемый напряжением, LSK489C JFET, используется в качестве программируемого делителя напряжения. Источник VGS устанавливает уровень выходного сопротивления полевого транзистора. Сопротивление сток-исток полевого транзистора (рDS) и резистор стока (р1) образуют сеть делителей напряжения. Выходное напряжение можно определить из уравнения

Vиз = VОКРУГ КОЛУМБИЯ · рDS / (р1 + рDS).

Моделирование LTSpice нелинейной конструкции видеомагнитофона проверяет, что сопротивление JFET изменяется с изменением напряжения затвор-исток (VGS). В моделировании (ниже) применяется постоянное входное напряжение (источник постоянного тока установлен на 4 В), а напряжение затвор-исток уменьшается ступенчато, что увеличивает сопротивление сток-исток полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком полевого транзистора увеличивается, когда напряжение затвор-исток становится более отрицательным, и уменьшается, когда напряжение затвор-исток приближается к 0 вольт. Моделирование ниже подтверждает это. Выходное напряжение составляет около 2,5 вольт при напряжении затвор-исток -1 вольт. И наоборот, выходное напряжение падает примерно до 1,6 вольт, когда напряжение затвор-исток составляет 0 вольт.

С входным сигналом 4 В и р1 300 Ом, диапазон сопротивления для видеомагнитофона JFET можно рассчитать по результатам моделирования как VGS изменяется от -1 вольт до 0 вольт, используя уравнение

рDS = V0 · р1 / (VDS − V0).

Используя приведенное выше уравнение, при VGS = −1 В, сопротивление видеомагнитофона около 500 Ом, а при VGD = 0 В, сопротивление видеомагнитофона около 200 Ом.


Подача пилообразного напряжения на вход аналогичной схемы видеомагнитофона (резистор нагрузки был изменен на 3000 Ом) позволяет определить точное значение сопротивления полевого транзистора при изменении входного напряжения.


Моделирование пилообразного изменения, приведенное ниже, показывает, что сопротивление сток-исток полевого транзистора является довольно постоянным (около 280 Ом) вплоть до входного напряжения развертки, Vподметать (Vсигнал), достигает примерно 2 В. В этот момент сопротивление сток-исток начинает медленно расти, пока входное напряжение не достигнет 8 В. При примерно 8 В для этого условия смещения (VGS = 0 В и р = 3 кОм), ток стока полевого транзистора (яD(J1)) насыщается, и сопротивление перестает быть постоянным и изменяется с увеличением входного напряжения. Моделирование линейного изменения также показывает, что даже ниже 2 В сопротивление видеомагнитофона не полностью зависит от уровня входного напряжения. То есть сопротивление видеомагнитофона не представляет собой идеально линейный резистор.

Поскольку сопротивление не является постоянным выше 2 В, эта нелинейная конструкция видеомагнитофона чаще всего используется, когда сигнал входного напряжения ниже 1 В, например, в приложениях датчиков или в приложениях, где искажения не являются проблемой при более высоких уровнях входного напряжения. Или в других случаях, когда постоянное сопротивление резистора не требуется (например, в приложениях для регулирования яркости светодиодов и схемах эффектов музыкальных педалей).


Линейный дизайн видеомагнитофона

Для увеличения динамического диапазона входного напряжения, поддержания постоянного сопротивления во всем диапазоне входного сигнала, а также для улучшения отношения сигнал / шум и общих характеристик гармонических искажений используются резисторы линеаризации.

Основным ограничением резисторов, управляемых напряжением, является то, что входной сигнал должен поддерживаться ниже напряжения линеаризации (примерно до точки, когда JFET входит в насыщение). Если напряжение линеаризации превышено, значение резистора управления напряжением будет изменяться как с уровнем входного сигнала напряжения, так и с напряжением затвор-исток.[26]

Конструкция линеаризованного видеомагнитофона показана на рисунке ниже.

Для оценки способности этой конструкции обрабатывать большие входные сигналы, на входе видеомагнитофона применяется наклон. По результатам моделирования линейного изменения определяется, насколько точно видеомагнитофон имитирует реальный резистор и в каком диапазоне входных напряжений видеомагнитофон ведет себя как резистор.


Линеаризованное моделирование линейного изменения видеомагнитофона, приведенное ниже, показывает, что сопротивление видеомагнитофона является постоянным и составляет примерно 260 Ом для диапазона входного сигнала от примерно -6 В до 6 В ( V(Vиз)/я(р1) изгиб). Развертка также указывает на то, что сопротивление видеомагнитофона начинает резко возрастать, как это происходит в нелинейной конструкции, когда JFET входит в область насыщения.

Из-за более широкой области постоянного сопротивления линеаризованного видеомагнитофона, входные сигналы гораздо большего размера, чем нелинейные конструкции, могут подаваться на видеомагнитофон без искажений. Однако также важно учитывать, что величина резистора стока будет немного влиять на диапазон напряжений сток-исток, при котором сопротивление видеомагнитофона является постоянным.


Из-за увеличенного диапазона линеаризации линеаризованная схема способна обрабатывать сигналы переменного тока с размахом порядка 8 В до появления визуальных уровней искажений. В приведенном ниже моделировании используется резистор стока на 3000 Ом, показывает, что видеомагнитофон может успешно использоваться при достаточно высоких входных сигналах входного напряжения. Для этой конструкции сигнал полного размаха входного напряжения 8 В может быть ослаблен с пикового значения 2,2 В до пика 0,5 В, когда управляющее напряжение изменяется от -2,5 В до 0,5 В.


Что важно отметить в конструкции линеаризованного видеомагнитофона, в отличие от нелинейной конструкции, так это то, что выходной сигнал не имеет значительного смещения. Он остается в центре на 0 В при изменении управляющего напряжения. Моделирование нелинейной конструкции показывает значительное напряжение смещения на выходе. Другой важной характеристикой конструкции линеаризованного видеомагнитофона является более высокий выходной ток, чем у нелинейной конструкции. Резисторы линеаризации способствуют эффективному увеличению крутизны КВМ.

Выбор диапазона сопротивления

Для получения различных диапазонов сопротивления видеомагнитофона можно использовать разные полевые транзисторы JFET. Как правило, чем выше значение IDSS для JFET, тем ниже полученное значение сопротивления. Точно так же полевые транзисторы JFET с более низкими значениями IDSS имеют более высокие значения сопротивления.[27] С банком JFET, с разными значениями IDSS (и, следовательно, рDS значения), могут быть построены группы программируемых схем автоматической регулировки усиления, которые предлагают широкий диапазон диапазонов сопротивления. Например, LSK489A и LSK489C, градуированные IDSS JFETS, показывают изменение сопротивления 3: 1.

Соображения по искажению

Искажения - основная проблема резисторов с регулируемым напряжением. Когда подается входной сигнал переменного или отличного от постоянного тока, что приводит к тому, что резистор видеомагнитофона выходит из области линейного триода (или работает в области менее идеально линейного триода), возникает неравномерное усиление входного сигнала (как прямой результат нелинейное увеличение сопротивления). Это приводит к искажению выходного сигнала.

Чтобы решить эту проблему, нелинейные видеомагнитофоны просто работают при довольно низких уровнях сигнала. С другой стороны, конструкции линеаризованных видеомагнитофонов будут иметь значительно меньшие искажения при гораздо более высоких уровнях входного сигнала напряжения и позволят улучшить технические характеристики общих гармонических искажений.

Например, приведенное ниже моделирование показывает значительное количество визуальных искажений, когда входной сигнал с размахом 5 В применяется к нелинейной конструкции видеомагнитофона.


С другой стороны, моделирование конструкции линеаризованного видеомагнитофона показывает очень небольшие искажения при подаче размаха входного сигнала 8 В (рисунок 7).

Другие топологии и конструкции видеомагнитофонов

Помимо этих более простых конструкций видеомагнитофонов, существует множество более сложных конструкций. Эти конструкции часто включают схему дифференциального разностного конвейерного тока (DDCC), дифференциальный усилитель, два или более согласованных транзистора JFET или один или два операционные усилители. Эти конструкции предлагают улучшения в динамическом диапазоне, искажениях, соотношении сигнал / шум и чувствительности к колебаниям температуры.[28][29]

Теория дизайна - анализ IV

Вольт-амперные характеристики (IV) определяют, как будет работать видеомагнитофон с полевым транзистором. В частности, линейные участки ВАХ определяют диапазон входного сигнала, в котором видеомагнитофон будет вести себя как резистор. Кривые конкретного полевого транзистора JFET также определяют диапазон значений резистора, на который можно запрограммировать видеомагнитофон.

Математическая функция, определяющая IV-кривую JFET, не является линейной. Однако есть участки этих кривых, которые очень линейны. К ним относятся триодная область (также известная как омическая или линейная область) и область насыщения (также известная как активная область или область источника постоянного тока). В области триода JFET действует как резистор, однако в области насыщения он ведет себя как источник постоянного тока. Точка, разделяющая область триода и область насыщения, примерно равна точке, где VDS равно VGS на каждой из ВАХ.

В области триода изменения напряжения сток-исток не изменят (или изменят очень мало) сопротивление между выводами стока и истока полевого транзистора. В области насыщения или, точнее, в области постоянного тока, изменения напряжения сток-исток потребуют изменения сопротивления сток-исток таким образом, чтобы ток оставался на постоянном значении для разных стоков. уровни напряжения.


Для значений VGS вблизи нуля напряжение линеаризации напряжения сток-исток или точка излома триода намного выше, чем когда VGS уровни близки к напряжению отсечки. Это означает, что для поддержания постоянного поведения резистора для разных значений VGS, максимальное значение линеаризации будет установлено в соответствии с наибольшим значением VGS использовал.

Область линейного триода фактически включает отрицательные значения VGS. На рисунке ниже показано LTSPICE (LTSPICE) моделирование ВАХ в триодной области. Как можно видеть, нелинейный LSK489 приблизительно линейен от -0,1 В до 0,1 В. VGS Уровни около 0 В, линейный диапазон триода простирается от -0,2 В до 0,2 В. Поскольку значение VGS увеличивается, область линейного триода значительно уменьшается.


И наоборот, когда используются резисторы линеаризации, аналогичное моделирование с разверткой ВАХ показывает, что область линейного триода значительно расширена. Из ВАХ видно, что область линеаризации для линеаризованной конструкции легко расширяется от -6 В до 6 В ( яDS против VDS против Vв кривые). Значительно выше диапазона примерно 200 мВ, создаваемого нелинейной конструкцией.

Также интересен тот факт, что линеаризация приводит к линеаризации напряжения затвор-исток, даже если входное напряжение (Vв) поддерживается на постоянном уровне постоянного тока во время каждой развертки. Это связано с тем, что при изменении входного напряжения значение VGS напряжение изменяется так, что VGS всегда равно половине VDS. Изменение в VGS для изменений в VDS таков, что JFET ведет себя как резистор до момента насыщения JFET.


Математика линеаризации

Математика резисторов линеаризации напрямую связана с отменой второй степени. VDS член в уравнении триода JFET. Это уравнение связывает ток стока с VGS и VDS. Кляйнфельд[30] применяет действующий закон Кирхгофа, чтобы доказать, что VDS нелинейный член сокращается с помощью резисторов линеаризации. Резисторы линеаризации, чтобы исключить второй (квадратичный) член, должны быть одинаковыми. Равнозначные резисторы линеаризации делят напряжение сток-исток на 2, эффективно нейтрализуя нелинейность. VDS член в уравнении триода JFET.

Будущее резисторов с регулируемым напряжением

Повседневные и высокопроизводительные видеомагнитофоны необходимы для успешного проектирования многих аналоговых электронных схем и будут оставаться таковыми. Ожидается, что конструкции видеомагнитофонов будут играть центральную роль в развитии сенсорных сетей на основе искусственного интеллекта (нейронных сетей).[31] VCR, в основном сердце синаптических клеток в нейронная сеть,[32] необходимо для обеспечения высокоскоростной обработки аналоговых данных и управления информацией, которую в настоящее время делают микроконтроллеры, цифро-аналоговые преобразователи и аналого-цифровые преобразователи.

Малошумящие полевые транзисторы из-за их чувствительности к низкому сигналу, электромагнитной и радиационной стойкости, а также их способности быть настроенными как видеомагнитофон в синаптической ячейке, так и как малошумящий высокопроизводительный предварительный усилитель датчика, предлагают решение для реализации сенсорные узлы на основе искусственного интеллекта. Это естественное продолжение того факта, что малошумящие схемы JFET и малошумящие топологии цепей JFET широко используются при разработке малошумящих видеомагнитофонов и малошумящих предусилителей в приложениях для измерения датчиков.[33][34]

Рекомендации

  1. ^ Джафарипахах, М .; Аль-Хашими, Б. М .; Уайт, Н. М. (2004, май). Рассмотрение конструкции и реализация аналоговых адаптивных фильтров для коррекции реакции сенсора. Труды ICEE2004.
  2. ^ Greason, Джеффри К. (1983). Элемент сопротивления, управляемый напряжением, с превосходным динамическим диапазоном. Патент США US 5264785 A US 5264785 A.
  3. ^ Шервин, Джим (1975, август).
  4. ^ Ви, Кенг Хунгл; Сарпешкар, Рахул (1986) Омический дифференциальный усилитель JFET, Keithley Instruments, патент США.
  5. ^ Schneider, Leif E .; Томпсон, Кевин Д. (2014). Самооптимизирующийся сборщик энергии с использованием генератора с переменным источником напряжения. Perpetua Power Source Technologies, Inc. Патент США US 8664931 B2.
  6. ^ Шервин, Джим (1975, август).
  7. ^ Мадаффари, Питер Л. (2000). Усилитель с пониженной входной емкостью. Tibbetts Industries, inc. Патент США US 6023194 A.
  8. ^ Балленджер, Мэтью; Кендрик, Джордж (2006). Лампа со встроенным преобразователем напряжения, имеющая схему регулирования яркости с фазовым регулированием и содержащую резистор, регулируемый напряжением. Osram Sylvania, Inc. Патент США, US 20060082320 A1.
  9. ^ Стоффер, К. Дэниэл У (1971). Сбалансированный модулятор с резисторами с регулируемым напряжением JFET. Collins Radio Company, патент США US 3621473 A.
  10. ^ Сунг-Дэ, Ли; Вон-Хё, Ли; Кан-Мин, Чунг (1998). Резистор с линейным управлением напряжением для нейронного чипа. Системы, человек и кибернетика, 1998. 1998 Международная конференция IEEE.
  11. ^ Молина, Джонни Ф .; Ститт II, Марк; Р., Берт, Родни. (1994). Схема усилителя с программируемым коэффициентом усиления и метод смещения переключателей усиления на полевом транзисторе Бёрр-Браун. Патент США US 5327098 A.
  12. ^ Электросмаш. Анализаторы фазы 90 MXR. www.electrosmash.com.
  13. ^ Цай, Цзун-Сянь; Хунг, Цзун-Сянь, Чен, Цзян-Хунг; Юань, Мин-Шуэ (2010) Контур фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) с контролем усиления. Тайваньская компания по производству полупроводников. Патент США US7786771 B2.
  14. ^ Балленджер, Мэтью Б; Кендрик, Джордж Б. (2010). Лампа со встроенным преобразователем напряжения, имеющая схему регулирования яркости с фазовым регулированием и содержащую резистор, регулируемый напряжением. Osram Sylvania Inc., Патент США US 7839095 B2.
  15. ^ Полевые транзисторы как резисторы с регулируемым напряжением (1997, март). Вишай.
  16. ^ Кумгерн, Монтри; Torteanchai, США; Дейхан, Кобчай (2011, апрель). Плавающий резистор с регулируемым напряжением с использованием DDCC, RadioEngineering.
  17. ^ Маккарти, Дэниел П .; Коннелл, Лоуренс Э; Холленбек, Нил В. (2009) Переменный аттенюатор, управляемый линейным напряжением, с линейной крутизной усиления дБ / В. FreeScale Semiconductor. Патент США US 20090143036 A1.
  18. ^ Гриффен, Джед Д. (2002). Генератор с высокоточным управлением напряжением и RC цепью. Intel Corp. Патент США US 6498539 B2.
  19. ^ Аппарат высоковольтной электростимуляции растений (2012 г.).西藏 农牧 科学院 蔬菜 研究所 Патент Китая CN 202285631 U.
  20. ^ Саймонс, Пит (2013). Генерация цифровых сигналов. Издательство Кембриджского университета. С. 33.
  21. ^ VCR11 Резистор, управляемый напряжением. Линейные интегрированные системы.
  22. ^ Максвелл, Джон (1976), AN-6602Low Noise JFET - The Noise Problem Solver. Fairchild Semiconductor.
  23. ^ Левинзон, Феликс (2014). Пьезоэлектрические акселерометры со встроенной электроникой. Спрингер, стр.75.
  24. ^ Ян, Эрик; Милич, Огнен; Чжоу, Цзинхай (2011, ноябрь), Устройство защиты от перенапряжения на входе с использованием JFET, Monolithic Power Systems, Inc. Патент США US 8068321 B2.
  25. ^ Раундри, Роберт Ньютон (2014, ноябрь). Схема защиты JFET от электростатического разряда для низковольтных приложений. Патент США US 20140339608 A1.
  26. ^ Полевые транзисторы как резисторы с регулируемым напряжением (1997, март). Вишай.
  27. ^ Полевые транзисторы как резисторы с регулируемым напряжением (1997, март). Вишай.
  28. ^ Ви, Кенг Хунгл; Сарпешкар, Рахул (1986) омический дифференциальный усилитель на полевом транзисторе, Keithley Instruments, патент США
  29. ^ Холани, Рани; Pandey, Prem C; Тивари, Нитья (2014). Схема на основе JFET для реализации прецизионного и линейного сопротивления, управляемого постоянным напряжением, Ежегодная конференция IEEE в Индии, 2014 г. (INDICON).
  30. ^ Исследовательская лаборатория Дэвида Кляйнфельда в Калифорнийском университете в Сан-Диего. Полевой транзистор как резистор, управляемый напряжением. https://neurophysics.ucsd.edu/courses/physics_120/The%20Field%20Effect%20Transistor%20as%20a%20Voltage%20Controlled%20Resistor.pdf
  31. ^ Ляо, Ихуа. Нейронные сети в оборудовании: обзор, аналоговые нейрочипы, раздел 5.3.2, Калифорнийский университет в Дэвисе.
  32. ^ Чжан, Сяолинь; Маэда, Йошинори (2012). Эквивалентный нервный контур Эквивалентный контур синапса и тело нервной клетки Токийский технологический институт. Патент США US 8112373 B2.
  33. ^ Университет Райса (2016, июнь), RedEye может позволить вашему телефону видеть 24-7. Science Daily.
  34. ^ Куан, Рон. Руководство по использованию датчиков JFET для приложений датчиков. Линейные системы.