WikiDer > Текущее зеркало
А текущее зеркало схема, предназначенная для копирования Текущий через один активное устройство путем управления током в другом активном устройстве цепи, поддерживая постоянный выходной ток независимо от нагрузки. «Копируемый» ток может быть, а иногда и есть, переменным сигнальным током. Концептуально идеальное зеркало тока - это просто идеальное инвертирующий усилитель тока который также меняет текущее направление на обратное. Или он может состоять из управляемый током источник тока (CCCS). Токовое зеркало используется для обеспечения токов смещения и активные нагрузки схемам. Его также можно использовать для моделирования более реалистичного источника тока (поскольку идеальных источников тока не существует).
Описанная здесь топология схемы используется во многих монолитных ИС. Это Widlar зеркало без резистора вырождения эмиттера в следящем (выходном) транзисторе. Эта топология может быть реализована только в ИС, поскольку согласование должно быть очень точным и не может быть достигнуто с помощью дискретных элементов.
Другая топология - это Токовое зеркало Уилсона. Зеркало Уилсона решает Ранний эффект проблема напряжения в этой конструкции.
Характеристики зеркала
Существуют три основных характеристики современного зеркала. Первый - это передаточное отношение (в случае усилителя тока) или величина выходного тока (в случае источника постоянного тока CCS). Второй - его выходное сопротивление переменному току, которое определяет, насколько выходной ток изменяется в зависимости от напряжения, приложенного к зеркалу. Третья спецификация - минимальное падение напряжения на выходной части зеркала, необходимое для его правильной работы. Это минимальное напряжение продиктовано необходимостью поддерживать выходной транзистор зеркала в активном режиме. Диапазон напряжений, в котором работает зеркало, называется диапазон соответствия и напряжение, отмечающее границу между хорошим и плохим поведением, называется напряжение соответствия. Существует также ряд второстепенных проблем с производительностью зеркал, например, температурная стабильность.
Практические приближения
За слабосигнальный Анализ текущего зеркала можно аппроксимировать его эквивалентом Импеданс Нортона.
В большой сигнал При ручном анализе зеркало тока обычно просто аппроксимируется идеальным источником тока. Однако идеальный источник тока нереален по нескольким причинам:
- оно имеет бесконечный импеданс переменного тока, в то время как практическое зеркало имеет конечный импеданс
- обеспечивает одинаковый ток независимо от напряжения, то есть нет требований по диапазону соответствия
- у него нет частотных ограничений, в то время как настоящее зеркало имеет ограничения из-за паразитных емкостей транзисторов
- Идеальный источник не чувствителен к реальным эффектам, таким как шум, колебания напряжения источника питания и допуски компонентов.
Схемотехнические реализации токовых зеркал
Основная идея
Биполярный транзистор можно использовать как простейший преобразователь тока в ток но его коэффициент передачи будет сильно зависеть от колебаний температуры, допусков β и т. д. Для устранения этих нежелательных помех токовое зеркало состоит из двух каскадных ток-напряжение и напряжение-ток преобразователи, помещенные в одинаковые условия и имеющие обратные характеристики. Они не обязательно должны быть линейными; единственное требование - чтобы их характеристики были зеркальными (например, в токовом зеркале БЮТ ниже они логарифмические и экспоненциальные). Обычно используются два идентичных преобразователя, но характеристика первого инвертируется путем применения отрицательной обратной связи. Таким образом, токовое зеркало состоит из двух каскадно подключенных одинаковых преобразователей (первый - обратный, второй - прямой).
Базовое зеркало тока BJT
Если напряжение подается на переход база-эмиттер BJT в качестве входной величины, а ток коллектора принимается в качестве выходной величины, транзистор будет действовать как экспоненциальный преобразователь напряжения в ток. Применяя отрицательную обратную связь (просто соединяя базу и коллектор), транзистор может быть «перевернут», и он начнет действовать как противоположное. логарифмический преобразователь тока в напряжение; теперь он будет регулировать "выходное" напряжение база-эмиттер так, чтобы пропускать приложенный "входной" ток коллектора.
Эту идею реализует простейшее биполярное токовое зеркало (показанное на рисунке 1). Он состоит из двух каскадных транзисторных каскадов, действующих соответственно как перевернутый и непосредственный преобразователи напряжения в ток. Эмиттер транзистора Q1 подключен к земле. Его напряжение коллектор-база равно нулю, как показано. Следовательно, падение напряжения на Q1 является VБЫТЬ, то есть это напряжение задается диодный закон и Q1 как говорят диод подключен. (Смотрите также Модель Эберса-Молля.) Важно, чтобы Q1 в схеме вместо простого диода, потому что Q1 наборы VБЫТЬ для транзистора Q2. Если Q1 и Q2 согласованы, то есть имеют практически одинаковые свойства устройства, и если выходное напряжение зеркала выбрано таким образом, чтобы напряжение коллектор-база Q2 также равен нулю, то VБЫТЬ-значение устанавливается Q1 приводит к току эмиттера в согласованном Q2 это то же самое, что и ток эмиттера в Q1[нужна цитата]. Потому что Q1 и Q2 совпадают, их β0-значения также совпадают, что делает выходной ток зеркала таким же, как ток коллектора Q1.
Ток, подаваемый зеркалом при произвольном обратном смещении коллектор-база, VCB, из выходной транзистор дан кем-то:
куда яS - обратный ток насыщения или ток шкалы; VТ, то тепловое напряжение; и VА, то Раннее напряжение. Этот ток связан с опорным током яссылка когда выходной транзистор VCB = 0 В по:
как найдено с использованием Действующий закон Кирхгофа на коллекторном узле Q1:
Опорный ток подает ток коллектора на Q1 и базовые токи к обоим транзисторам - когда оба транзистора имеют нулевое смещение база-коллектор, два базовых тока равны, IB1 = ЯБи 2 = ЯB.
Параметр β0 - значение β транзистора для VCB = 0 В.
Выходное сопротивление
Если Vдо н.э больше нуля в выходном транзисторе Q2, ток коллектора в Q2 будет несколько больше, чем для Q1 из-за Ранний эффект. Другими словами, зеркало имеет конечное выходное сопротивление (или сопротивление Нортона), определяемое ро выходного транзистора, а именно:
куда VА - раннее напряжение; и VCE, напряжение коллектор-эмиттер выходного транзистора.
Напряжение соответствия
Чтобы выходной транзистор оставался активным, VCB ≥ 0 В. Это означает, что самое низкое выходное напряжение, которое приводит к правильному поведению зеркала, напряжение соответствия, составляет VИЗ = Vрезюме = VБЫТЬ в условиях смещения с выходным транзистором на уровне выходного тока яC и с VCB = 0 В или, инвертируя I-V отношение выше:
куда VТ это тепловое напряжение; и яS, обратный ток насыщения или ток шкалы.
Расширения и осложнения
Когда Q2 имеет VCB > 0 В, транзисторы больше не согласованы. В частности, их значения β различаются из-за эффекта Раннего, с
где VА это Раннее напряжение и β0 - транзистор β для VCB = 0 В. Помимо разницы из-за эффекта Раннего, значения β транзистора будут отличаться, потому что β0-значения зависят от тока, и теперь два транзистора имеют разные токи (см. Модель Гаммеля-Пуна).
Далее, Q2 может стать значительно горячее, чем Q1 из-за связанной с этим более высокой рассеиваемой мощности. Для обеспечения согласования температура транзисторов должна быть примерно одинаковой. В интегральные схемы и массивы транзисторов, в которых оба транзистора находятся на одном кристалле, этого легко достичь. Но если два транзистора расположены далеко друг от друга, точность токового зеркала будет нарушена.
Дополнительные согласованные транзисторы могут быть подключены к той же базе и будут обеспечивать такой же ток коллектора. Другими словами, правая половина схемы может быть дублирована несколько раз с различными номиналами резисторов, заменяющими R2 на каждой. Однако обратите внимание, что каждый дополнительный правый полупроводниковый транзистор «крадет» немного тока коллектора у Q1 из-за ненулевых базовых токов правых полупроводниковых транзисторов. Это приведет к небольшому снижению запрограммированного тока.
Также пример зеркала с вырождением эмиттера для увеличения сопротивления зеркала.
Для простого зеркала, показанного на схеме, типичные значения даст текущее совпадение 1% или лучше.
Базовое зеркало тока MOSFET
Базовое токовое зеркало также может быть реализовано с использованием полевых МОП-транзисторов, как показано на рисунке 2. Транзистор. M1 работает в насыщенность или активный режим, и так M2. В этой настройке выходной ток яИЗ напрямую связано с яREF, как обсуждается далее.
Ток стока полевого МОП-транзистора яD является функцией как напряжения затвор-исток, так и напряжения сток-затвор полевого МОП-транзистора, определяемого выражением яD = ж (VGS, VDG), отношения, вытекающие из функциональности МОП-транзистор устройство. В случае транзистора M1 зеркала, яD = яREF. Контрольный ток яREF - известный ток, который может быть обеспечен резистором, как показано, или «пороговым значением» или «самовлюбленный«источник тока, обеспечивающий его постоянство, независимо от колебаний напряжения питания.[1]
С помощью VDG = 0 для транзистора M1, ток стока в M1 является яD = ж(VGS, VDG= 0), поэтому находим: ж(VGS, 0) = яREF, неявно определяя значение VGS. Таким образом яREF устанавливает значение VGS. Схема на схеме заставляет то же самое VGS применить к транзистору M2. Если M2 также смещен на ноль VDG и предоставил транзисторы M1 и M2 имеют хорошее соответствие своих свойств, таких как длина канала, ширина, пороговое напряжение и т. д., соотношение яИЗ = ж(VGS, VDG = 0) применяется, таким образом устанавливая яИЗ = яREF; то есть выходной ток такой же, как эталонный ток, когда VDG = 0 для выходного транзистора, и оба транзистора согласованы.
Напряжение сток-исток можно выразить как VDS = VDG + VGS. С этой заменой модель Шичмана – Ходжеса дает приближенный вид функции ж(VGS, VDG):[2]
куда - технологическая константа, связанная с транзистором, Вт / л - отношение ширины к длине транзистора, напряжение затвор-исток, - пороговое напряжение, λ - модуляция длины канала постоянный, и - напряжение сток-исток.
Выходное сопротивление
Из-за модуляции длины канала зеркало имеет конечное выходное (или Нортоновское) сопротивление, определяемое ро выходного транзистора, а именно (см. модуляция длины канала):
куда λ = параметр модуляции длины канала и VDS = смещение сток-исток.
Напряжение соответствия
Чтобы поддерживать высокое сопротивление выходного транзистора, VDG ≥ 0 В.[nb 1] (см. Бейкер).[3] Это означает, что самое низкое выходное напряжение, которое приводит к правильному поведению зеркала, напряжение соответствия, составляет VИЗ = Vрезюме = VGS для выходного транзистора на уровне выходного тока с VDG = 0 В, или используя обратное ж-функция, ж −1:
Для модели Шичмана – Ходжеса ж−1 является приблизительно функцией квадратного корня.
Продление и бронирование
Полезной особенностью этого зеркала является линейная зависимость ж по ширине устройства W, пропорциональность приблизительно удовлетворяется даже для моделей более точных, чем модель Шичмана – Ходжеса. Таким образом, путем регулирования соотношения ширины двух транзисторов, кратные опорного тока могут быть получены.
Модель Шичмана – Ходжеса.[4] верно только для довольно устаревших[когда?] технология, хотя она часто используется просто для удобства даже сегодня. Любой количественный дизайн, основанный на новых[когда?] технология использует компьютерные модели устройств, учитывающие измененные вольт-амперные характеристики. Среди различий, которые необходимо учитывать при точном проектировании, является нарушение закона квадратов в VGS для зависимости от напряжения и очень плохого моделирования Vds зависимость напряжения стока от λVds. Другой недостаток уравнений, который оказывается очень существенным, - это неточная зависимость от длины канала. L. Значительный источник L-зависимость проистекает из λ, как отметили Грей и Мейер, которые также отмечают, что λ обычно следует брать из экспериментальных данных.[5]
Из-за большого разброса Vth даже в пределах определенного номера устройства дискретные версии проблематичны. Хотя отклонение можно несколько компенсировать, используя вырожденный резистор истока, его значение становится настолько большим, что страдает выходное сопротивление (т.е. уменьшается). Этот вариант переводит версию MOSFET на арену IC / монолитных.
Токовое зеркало с обратной связью
На рисунке 3 показано зеркало с использованием негативный отзыв для увеличения выходного сопротивления. Из-за операционного усилителя эти схемы иногда называют текущие зеркала с усилением. Поскольку они имеют относительно низкое напряжение согласования, их также называют широкоформатные зеркала заднего вида. На основе этой идеи используются различные схемы,[6][7][8] особенно для зеркал MOSFET, потому что MOSFET имеют довольно низкие значения внутреннего выходного сопротивления. Версия MOSFET на Рисунке 3 показана на Рисунке 4, где MOSFET M3 и M4 работать в Омический режим играть ту же роль, что и эмиттерные резисторы рE на рисунке 3, а полевые МОП-транзисторы M1 и M2 работают в активном режиме в тех же ролях, что и зеркальные транзисторы Q1 и Q2 на рисунке 3. Далее следует объяснение того, как работает схема на рисунке 3.
На операционный усилитель подается разница напряжений. V1 − V2 в верхней части двух резисторов эмиттерной ветви номинала рE. Эта разница усиливается операционным усилителем и подается на базу выходного транзистора. Q2. Если на базе коллектора обратное смещение на Q2 увеличивается за счет увеличения приложенного напряжения VА, ток в Q2 увеличивается, увеличивается V2 и уменьшая разницу V1 − V2 вход в операционный усилитель. Следовательно, базовое напряжение Q2 уменьшается, и VБЫТЬ из Q2 уменьшается, противодействуя увеличению выходного тока.
Если усиление операционного усилителя Аv большая, только очень маленькая разница V1 − V2 достаточно для создания необходимого базового напряжения VB за Q2, а именно
Следовательно, токи в двух резисторах ног остаются примерно одинаковыми, а выходной ток зеркала почти такой же, как ток коллектора. яC1 в Q1, который, в свою очередь, задается опорным током как
где β1 для транзистора Q1 и β2 за Q2 отличаются из-за Ранний эффект если обратное смещение через коллектор-базу Q2 не равно нулю.
Выходное сопротивление
Идеализированная трактовка выходного сопротивления приведена в сноске.[nb 2] Анализ слабого сигнала для операционного усилителя с конечным усилением Аv но в остальном идеал основан на рисунке 5 (β, rО и рπ Ссылаться на Q2). Чтобы перейти к рисунку 5, обратите внимание, что положительный вход операционного усилителя на рисунке 3 находится на заземлении переменного тока, поэтому входное напряжение операционного усилителя - это просто напряжение эмиттера переменного тока. Vе приложенный к его отрицательному входу, в результате чего выходное напряжение -Аv Vе. С помощью Закон Ома через входное сопротивление rπ определяет базовый ток слабого сигнала яб в качестве:
Объединив этот результат с законом Ома для , можно исключить, найти:[№ 3]
Закон напряжения Кирхгофа из тестового источника яИкс на землю рE обеспечивает:
Замена на яб и собирая слагаемые выходное сопротивление риз оказывается:
Для большого выигрыша Аv ≫ рπ / рE максимальное выходное сопротивление, полученное с помощью этой схемы, составляет
существенное улучшение по сравнению с основным зеркалом, где риз = рО.
Анализ слабого сигнала схемы MOSFET на рисунке 4 получается из биполярного анализа путем установки β = граммм рπ в формуле для риз а затем позволяя рπ → ∞. Результат
В это время, рE сопротивление истокового МОП-транзистора M3, М4. Однако в отличие от рисунка 3, поскольку Аv увеличивается (держит рE фиксированное значение), риз продолжает расти и в целом не приближается к предельному значению Аv.
Напряжение соответствия
На рисунке 3 показано, что усиление большого операционного усилителя обеспечивает максимальное усиление. риз только с небольшим рE. Низкое значение для рE средства V2 также мал, что обеспечивает низкое напряжение соответствия для этого зеркала, только напряжение V2 больше, чем напряжение податливости простого биполярного зеркала. По этой причине такие зеркала также называют зеркалами. широкоугольное токовое зеркало, потому что это позволяет выходному напряжению качаться ниже по сравнению с другими типами зеркал, которые достигают большого риз только за счет большого соответствия напряжений.
В схеме MOSFET на рисунке 4, как и в схеме на рисунке 3, чем больше коэффициент усиления операционного усилителя Аv, чем меньше рE может быть сделано при заданном риз, и тем ниже податливость зеркала.
Другие актуальные зеркала
Есть много сложных современных зеркал, которые имеют более высокую выходные сопротивления чем базовое зеркало (ближе к идеальному зеркалу с выходным током, не зависящим от выходного напряжения), и производят токи, менее чувствительные к температуре и параметрам устройства вариации и колебаниям напряжения в цепи. Эти многотранзисторные зеркальные схемы используются как с биполярными, так и с МОП-транзисторами. Эти схемы включают:
- то Источник тока Видлар
- то Токовое зеркало Уилсона используется в качестве источника тока
- Каскодированный текущие источники
Примечания
- ^ Поддержание высокого выходного сопротивления означает больше, чем удержание полевого МОП-транзистора в активном режиме, поскольку выходное сопротивление реальных полевых МОП-транзисторов начинает увеличиваться только при входе в активную область, а затем повышается, приближаясь к максимальному значению только тогда, когда VDG ≥ 0 В.
- ^ Идеализированная версия аргументации в тексте, действительная для бесконечного усиления ОУ, выглядит следующим образом. Если операционный усилитель заменен на nullor, Напряжение V2 = V1, поэтому токи в резисторах ног остаются на одном уровне. Это означает, что эмиттерные токи транзисторов одинаковы. Если VCB из Q2 увеличивается, и выходной транзистор β из-за Ранний эффект: β = β0(1 + VCB / VА). Следовательно, базовый ток на Q2 данный яB = яE / (β + 1) уменьшается, и выходной ток яиз = яE / (1 + 1 / β) немного увеличивается, потому что β немного увеличивается. Делая математику,
- ^ В качестве Аv → ∞, Vе → 0 и яб → яИкс.
Смотрите также
- Источник тока
- Источник тока Видлар
- Токовое зеркало Уилсона
- Биполярный переходной транзистор
- МОП-транзистор
- Модуляция длины канала
- Ранний эффект
Рекомендации
- ^ Пол Р. Грей; Пол Дж. Херст; Стивен Х. Льюис; Роберт Г. Мейер (2001). Анализ и проектирование аналоговых интегральных схем (Четвертое изд.). Нью-Йорк: Вили. п.308–309. ISBN 0-471-32168-0.
- ^ Серый; и другие. Уравнение 1.165, стр. 44. ISBN 0-471-32168-0.
- ^ Р. Джейкоб Бейкер (2010). Разработка, компоновка и моделирование схем CMOS (Третье изд.). Нью-Йорк: Wiley-IEEE. стр.297, §9.2.1 и рисунок 20.28, с. 636. ISBN 978-0-470-88132-3.
- ^ Отчет NanoDotTek NDT14-08-2007, 12 августа 2007 г. В архиве 17 июня 2012 г. Wayback Machine
- ^ Серый; и другие. п. 44. ISBN 0-471-32168-0.
- ^ Р. Джейкоб Бейкер. § 20.2.4 с. 645–646. ISBN 978-0-470-88132-3.
- ^ Иванов В. И., Филановский И. М. (2004). Повышение быстродействия и точности операционных усилителей: разработка аналоговой схемы с использованием структурной методологии (Международная серия Kluwer по инженерным наукам и информатике, т. 763 изд.). Бостон, Массачусетс: Kluwer Academic. п. §6.1, с. 105–108. ISBN 1-4020-7772-6.CS1 maint: использует параметр авторов (связь)
- ^ В. М. С. Сансен (2006). Основы аналогового дизайна. Нью-Йорк; Берлин: Springer. п. §0310, с. 93. ISBN 0-387-25746-2.
внешняя ссылка
Викискладе есть медиафайлы по теме Токовые зеркальные схемы. |
Викибук Идея схемы есть страница по теме: Как изменить направление тока на обратное |
- 4QD tec - Источники тока и зеркала Сборник схем и описаний