WikiDer > Czochralski-Prozess

Gerät von 1956 zur Kristallzüchtung nach dem Czochralski-Verfahren

Es Czochralski-Prozess (Zusamenfassend Cz) ist eine Methode, um Kristalle um sie wachsen zu lassen, indem man sie von einem hochzieht Schmelze. Hiermit a Impfkristall mit bekannter Kristallorientierung als Ausgangsmaterial. Der Prozess findet in einer inerten Umgebung statt (ArgonAtmosphäre) in Quarzgläser Tiegel, meist getragen von Heizelementen von Graphit, wo in der Schmelze das gewünschte Doping wird hinzugefügt werden.

nicht so wie Floating-Zone-Technik (FZ) reagiert die Tiegelwand mit der Schmelze, wobei auch Sauerstoff (und ggf. Kohlenstoff aus den Heizelementen) in den Kristall aufgenommen wird.

Der Cz-Prozess fällt nicht unter die Chemie, sondern unter die Physik oder Technik, da sich die Eigenschaften des Stoffes selbst nicht ändern. Die Methode ist nach ihrem Schöpfer benannt, dem Pool Jan Czochralski.

Das Czochralski-Verfahren wird häufig verwendet, um Siliziumkristalle wachsen wie Halbleiter für die Elektronikindustrie, um Nd:YAG-Kristalle zu züchten, um Laser herzustellen, auch Kristalle für Solarzellen, für Quarzuhren und so weiter.

Siehe die Kategorie Czochralski-Methode von Wikimedia Commons für Mediendateien zu diesem Thema.