WikiDer > Дисульфид гафния
Hafnium disulfide
 | |
 | |
| Имена | |
|---|---|
| Название ИЮПАК Дисульфид гафния | |
| Идентификаторы | |
3D модель (JSmol) | |
| ChemSpider | |
| ECHA InfoCard | 100.038.738  |
PubChem CID | |
| |
| |
| Характеристики | |
| HfS2 | |
| Молярная масса | 246,62 г / моль[1] |
| Внешность | Коричневое твердое вещество |
| Плотность | 6,03 г / см3[1] |
| Ширина запрещенной зоны | ~ 1,8 эВ (непрямое)[2] |
| Структура | |
| hP3, п3m1, № 164[3] | |
а = 0,363 нм, c = 0,584 нм | |
Формула единиц (Z) | 1 |
| Родственные соединения | |
Другой анионы | Диоксид гафния |
Другой катионы | Дисульфид вольфрама Дисульфид молибдена |
Если не указано иное, данные для материалов приведены в их стандартное состояние (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа). | |
 проверять (что   ?) | |
| Ссылки на инфобоксы | |
Дисульфид гафния является неорганическое соединение из гафний и сера. Это слоистый дихалькогенид с химическая формула это HfS2. Несколько атомных слоев этого материала можно расслоить с помощью стандартного Скотч-лента (видеть графен) и использовался для изготовления полевой транзистор.[4] Синтез HfS с высоким выходом2 также было продемонстрировано использование жидкофазного отшелушивания, что привело к получению стабильного многослойного HfS.2 хлопья.[5] Порошок дисульфида гафния можно получить путем реакции сероводород оксиды гафния при 500–1300 ° C.[6]
Рекомендации
 | Викискладе есть медиафайлы по теме Дисульфид гафния. |
- ^ а б Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. п. 4.66. ISBN 1439855110.
- ^ Terashima, K .; Имаи, И. (1987). «Край непрямого поглощения ZrS2 и HfS2". Твердотельные коммуникации. 63 (4): 315. Bibcode:1987SSCom..63..315T. Дои:10.1016/0038-1098(87)90916-1.
- ^ Hodul, David T .; Стейси, Анжелика М. (1984). «Аномалии свойств Hf (S2-хTeИкс)1-й и Hf (Se2-хTeИкс)1-й вблизи перехода металл-изолятор ». Журнал химии твердого тела. 54 (3): 438. Bibcode:1984JSSCh..54..438H. Дои:10.1016/0022-4596(84)90176-2.
- ^ Канадзава, Тору; Амемия, Томохиро; Исикава, Ацуши; Упадхьяя, Викрант; Цурута, Кендзи; Танака, Такуо; Миямото, Ясуюки (2016). «Малоуслойный HfS2 транзисторы ". Научные отчеты. 6: 22277. Bibcode:2016НатСР ... 622277K. Дои:10.1038 / srep22277. ЧВК 4772098. PMID 26926098.
- ^ Каур, Харнит (2017). «Синтез с высоким выходом и химическое расслоение двумерного слоистого дисульфида гафния». Нано исследования. arXiv:1611.00895. Дои:10.1007 / s12274-017-1636-х.
- ^ Каминский, Б. Т .; Прокофьева, Г. Н .; Плыгунов, А. С .; Галицкий, П.А. (1973-07-01). «Производство порошков сульфидов циркония и гафния». Советская порошковая металлургия и металлокерамика. 12 (7): 521–524. Дои:10.1007 / BF00796747.