WikiDer > Только для чтения памяти

Read-only memory
Концепция данных только для чтения может также относиться к разрешения файловой системы.
Для британского книжного издательства см. Постоянная память (издатель). Для использования в других целях см. ROM (значения).
EPROM
Память компьютера типы
Общее
Летучий
баран
Исторический
Энергонезависимая
ПЗУ
NVRAM
Ранняя стадия NVRAM
Магнитный
Оптический
В развитии
Исторический

Только для чтения памяти (ПЗУ) является разновидностью энергонезависимая память используется в компьютеры и другие электронные устройства. Данные, хранящиеся в ПЗУ, не могут быть изменены электронным способом после изготовления запоминающее устройство. Постоянная память полезна для хранения программного обеспечения который редко изменяется в течение срока службы системы, также известный как прошивка. Программные приложения (например, видеоигры) для программируемых устройств могут быть распределены как сменные картриджи, содержащие ПЗУ.

Строго, только для чтения памяти относится к памяти, которая является жестко подключенной, например диодная матрица или маска ROM Интегральная схема (IC), которые не могут быть электронно[а] поменял после изготовления. Хотя дискретные схемы в принципе можно изменить, добавив проводов и / или удаление или замену компонентов, микросхемы не могут. Для исправления ошибок или обновления программного обеспечения требуется производство новых устройств и замена установленного устройства.

Плавающий затвор ПЗУ полупроводниковая память в виде стираемая программируемая постоянная память (EPROM), электрически стираемая программируемая постоянная память (EEPROM) и флэш-память можно стереть и перепрограммировать. Но обычно это можно сделать только на относительно низких скоростях, для этого может потребоваться специальное оборудование и, как правило, это возможно только определенное количество раз.[1]

Термин «ROM» иногда используется для обозначения устройства ROM, содержащего определенное программное обеспечение, или файла с программным обеспечением, который должен храниться в EEPROM или флэш-памяти. Например, пользователи изменяют или заменяют Операционная система Android описывать файлы, содержащие измененную или заменяющую операционную систему, как "кастомные прошивки"после типа хранилища, в которое раньше выполнялась запись.

История

Дискретно-компонентное ПЗУ

IBM использовала конденсаторную память только для чтения (CROS) и трансформатор только для чтения (TROS) для хранения микрокода для меньшего Система / 360 модели, 360/85, а первые два Система / 370 модели (370/155 и 370/165). На некоторых моделях также был записываемое хранилище управления (WCS) для дополнительной диагностики и поддержки эмуляции. В Компьютер наведения Apollo используемый память сердечника веревки, программируется путем пропуска проводов через магнитные сердечники.

Твердотельное ПЗУ

Смотрите также: Полупроводниковая память
Во многих игровых консолях используются сменные картриджи ПЗУ, что позволяет одной системе играть в несколько игр.

Самый простой вид твердое состояние ПЗУ так же стара, как полупроводник сама технология. Комбинационный логические ворота можно вручную присоединить к карте п-немного адрес ввод произвольных значений м-немного данные выход (a Справочная таблица). С изобретением Интегральная схема пришел маска ROM. ПЗУ маски состоит из сетки слово строки (адресный ввод) и битовые строки (вывод данных), выборочно объединенные вместе с транзистор переключатели, и может представлять собой произвольную таблицу поиска с обычным физическим расположением и предсказуемой Задержка распространения.

В ПЗУ с маской данные физически закодированы в схеме, поэтому их можно запрограммировать только во время изготовления. Это приводит к ряду серьезных недостатков:

  1. Покупать ПЗУ маски в больших количествах выгодно только потому, что пользователи должны заключить договор с Литейный завод изготовить индивидуальный дизайн.
  2. Время между завершением дизайна ПЗУ маски и получением готового продукта велико по той же причине.
  3. ПЗУ маски нецелесообразно для НИОКР работают, поскольку дизайнерам часто необходимо изменять содержимое памяти по мере улучшения дизайна.
  4. Если продукт поставляется с неисправным ПЗУ маски, единственный способ исправить это - отзыв продукт и физически заменить ПЗУ в каждом отгруженном устройстве.

В последующих разработках эти недостатки были устранены. Программируемая постоянная память (PROM), изобретенный Вен Цин Чоу в 1956 г.,[2][3] позволил пользователям программировать его содержимое ровно один раз, физически изменяя его структуру с применением импульсов высокого напряжения. Это решило проблемы 1 и 2, описанные выше, поскольку компания может просто заказать большую партию свежих микросхем PROM и запрограммировать их с желаемым содержимым по усмотрению разработчиков.

Появление полевой транзистор металл – оксид – полупроводник (MOSFET), изобретенный в Bell Labs в 1959 г.,[4] дало возможность практического использования металл – оксид – полупроводник (МОП) транзисторы как ячейка памяти элементы хранения в полупроводниковая память, функция, ранее обслуживаемая магнитопроводы в память компьютера.[5] В 1967 году Давон Кан и Саймон Зе из Bell Labs предложила, чтобы плавающие ворота МОП полупроводниковый прибор может использоваться для ячейки перепрограммируемого ПЗУ, что привело к Дов Фроман из Intel изобретать стираемая программируемая постоянная память (EPROM) в 1971 году.[6] Изобретение СППЗУ в 1971 году по существу решило проблему 3, поскольку СППЗУ (в отличие от PROM) можно многократно возвращать в незапрограммированное состояние путем воздействия сильного ультрафиолетового света.

Электрически стираемая программируемая постоянная память (EEPROM), разработанная Ясуо Таруи, Ютакой Хаяси и Киёко Нага на Электротехническая лаборатория в 1972 г.,[7] прошли долгий путь к решению проблемы 4, поскольку EEPROM можно запрограммировать на месте если содержащее устройство обеспечивает средства для получения содержимого программы из внешнего источника (например, персональный компьютер через последовательный кабель). Флэш-память, изобретенный Фудзио Масуока в Toshiba в начале 1980-х и коммерциализирована в конце 1980-х, это форма EEPROM, которая очень эффективно использует площадь чипа и может быть стерта и перепрограммирована тысячи раз без повреждений. Он позволяет стирать и программировать только определенную часть устройства, а не все устройство. Это можно сделать на высокой скорости, отсюда и название «вспышка».[8][9]

Все эти технологии улучшили гибкость ПЗУ, но со значительной стоимостью микросхемы, так что в больших количествах ПЗУ с маской останется экономичным выбором в течение многих лет. (Снижение стоимости перепрограммируемых устройств практически привело к исчезновению рынка ПЗУ с маской к 2000 году.) Технологии перезаписи рассматривались как замена ПЗУ с маской.

Самая последняя разработка NAND flash, также изобретенный в Toshiba. Его разработчики явно отказались от прошлой практики, прямо заявив, что «цель флэш-памяти NAND - заменить жесткие диски,"[10] вместо традиционного использования ПЗУ как формы энергонезависимой первичное хранилище. По состоянию на 2007 год, NAND частично достигла этой цели, предлагая пропускную способность, сопоставимую с жесткими дисками, более высокую устойчивость к физическим ударам, крайнюю миниатюризацию (в виде USB-накопители и крошечный microSD карты памяти, например), и гораздо меньшее энергопотребление.

Используйте для хранения программ

Каждые компьютер с хранимой программой может использовать форму энергонезависимый место хранения (то есть хранилище, которое сохраняет свои данные при отключении питания) для хранения начальной программы, которая запускается, когда компьютер включается или иным образом начинает выполнение (процесс, известный как самонастройка, часто сокращенно "загрузка"или" загрузка "). Точно так же каждому нетривиальному компьютеру требуется некоторая форма изменяемой памяти для записи изменений в ее штат как он выполняется.

Формы постоянной памяти использовались в качестве энергонезависимой памяти для программ в большинстве ранних компьютеров с хранимыми программами, таких как ENIAC после 1948 г.. (До тех пор это не был компьютер с хранимой программой, поскольку каждую программу приходилось вручную подключать к машине, что могло занимать от нескольких дней до недель.) Постоянную память было проще реализовать, поскольку ей требовался только механизм для чтения сохраненных значений, и не менять их на месте, и, таким образом, могут быть реализованы с помощью очень грубых электромеханических устройств (см. исторические примеры ниже). С появлением интегральные схемы в 1960-х как ROM, так и его изменчивый аналог статическая RAM были реализованы как массивы транзисторы в кремниевых чипах; однако ячейка памяти ПЗУ может быть реализована с использованием меньшего количества транзисторов, чем ячейка памяти SRAM, поскольку для последней требуется защелка (состоящий из 5-20 транзисторов) для сохранения своего содержимого, в то время как ячейка ПЗУ может состоять из отсутствия (логический 0) или наличия (логическая 1) одного транзистора, соединяющего разрядную шину со шиной слов.[11] Следовательно, ПЗУ может быть реализовано с меньшими затратами.немного чем RAM на много лет.

Наиболее домашние компьютеры 80-х хранил БАЗОВЫЙ переводчик или Операционная система в ПЗУ как другие формы энергонезависимой памяти, такие как магнитный диск диски были слишком дорогими. Например, Коммодор 64 включено 64 КБ RAM и 20 KB ROM содержали интерпретатор BASIC и "КЕРНАЛ"операционной системы. Позже домашние или офисные компьютеры, такие как IBM PC XT часто включали магнитные диски и большие объемы ОЗУ, что позволяло им загружать свои операционные системы с диска в ОЗУ, с минимальным ядром инициализации оборудования и загрузчик остающийся в ПЗУ (известный как BIOS в IBM-совместимый компьютеры). Такая компоновка позволила создать более сложную и легко обновляемую операционную систему.

В современных ПК «ПЗУ» (обычно НЕ мигает на ПК) используется для хранения основной начальной загрузки прошивка для основного процессора, а также различных прошивка необходим для внутреннего управления автономными устройствами, такими как графические карты, жесткие диски, DVD приводы, TFT-экраныи т. д. в системе. Сегодня многие из этих воспоминаний, предназначенных только для чтения, особенно BIOS - часто заменяются на Флэш-память (см. ниже), чтобы разрешить перепрограммирование на месте в случае необходимости обновления прошивки. Однако простые и зрелые подсистемы (например, клавиатура или некоторые контроллеры связи в интегральных схемах на основной плате) могут использовать ПЗУ с маской или OTP (разовое программирование).

ROM и технологии-преемники такие как вспышка распространены в встроенные системы. Это во всем от промышленные роботы к бытовая техника и бытовая электроника (Mp3-плееры, телеприставкии т. д.), все из которых предназначены для конкретных функций, но основаны на микропроцессоры. Поскольку программное обеспечение обычно тесно связано с оборудованием, изменения программы в таких устройствах редко требуются (в которых обычно отсутствуют жесткие диски по причинам стоимости, размера или энергопотребления). По состоянию на 2008 год в большинстве продуктов используется Flash, а не маскирующее ПЗУ, и многие из них предоставляют средства для подключения к ПК для прошивка обновления; например, цифровой аудиоплеер можно обновить для поддержки нового формат файла. Некоторые любители воспользовались этой гибкостью, чтобы перепрограммировать потребительские товары для новых целей; например, iPodLinux и OpenWrt проекты позволили пользователям запускать полнофункциональные Linux распределения на своих MP3-плеерах и беспроводных маршрутизаторах соответственно.

ПЗУ также полезно для двоичного хранения криптографический данные, так как это затрудняет их замену, что может быть желательно для улучшения информационной безопасности.

Использовать для хранения данных

Поскольку ПЗУ (по крайней мере, в форме жестко запрограммированной маски) не может быть изменено, оно подходит только для хранения данных, которые, как ожидается, не потребуют модификации в течение срока службы устройства. С этой целью ПЗУ использовалось на многих компьютерах для хранения справочные таблицы для оценки математических и логических функций (например, блок с плавающей запятой мог бы табулировать синусоидальную функцию чтобы облегчить более быстрые вычисления). Это было особенно эффективно, когда Процессоры были медленными, а ПЗУ было дешевым по сравнению с ОЗУ.

Примечательно, что видеоадаптеры ранних персональных компьютеров в ПЗУ хранились таблицы символов растровых шрифтов. Обычно это означало, что отображение текста шрифт не может быть изменен в интерактивном режиме. Так было и с CGA и MDA адаптеры, доступные с IBM PC XT.

Использование ПЗУ для хранения таких небольших объемов данных в современных компьютерах общего назначения почти полностью исчезло. Однако флэш-ПЗУ приобрела новую роль в качестве носителя для массовое хранилище или вторичное хранилище файлов.

Типы

Первый EPROM, Intel 1702 г. умереть и проволочные облигации хорошо видно через окно стирания.


Заводская программа

ПЗУ маски постоянная память, содержимое которой программируется Интегральная схема производитель (а не пользователь). Желаемое содержимое памяти предоставляется заказчиком производителю устройства. Желаемые данные преобразуются в пользовательские слой маски для окончательной металлизации межсоединений на микросхеме памяти (отсюда и название).

Обычной практикой является использование перезаписываемого энергонезависимая память - такие как УФ-EPROM или EEPROM - для фазы разработки проекта и для перехода на маскирующее ПЗУ, когда код будет доработан. Например, Атмель микроконтроллеры имеют форматы EEPROM и mask ROM.

Главное преимущество ПЗУ с маской - это ее стоимость. ПЗУ масок более компактно, чем любые другие полупроводниковая память. Поскольку стоимость Интегральная схема сильно зависит от размера, ПЗУ маски значительно дешевле любого другого типа полупроводниковой памяти.

Однако единовременные затраты на маскирование высоки, и требуется длительный период времени от разработки до этапа изготовления продукта. Ошибки проектирования обходятся дорого: если обнаружена ошибка в данных или коде, ПЗУ маски становится бесполезным и должно быть заменено, чтобы изменить код или данные. [12]

По состоянию на 2003 год четыре компании производили большинство таких микросхем ПЗУ с маской: Samsung Electronics, Корпорация NEC, Oki Electric Industry, и Macronix.[13][нуждается в обновлении]

Некоторые интегральные схемы содержат только ПЗУ с маской. Другие интегральные схемы содержат ПЗУ с маской, а также множество других устройств. В частности, многие микропроцессоры иметь ПЗУ с маской для хранения своих микрокод. Немного микроконтроллеры есть ПЗУ с маской для хранения загрузчик или все их прошивка.

Классический ПЗУ с программированием по маске Микросхемы - это интегральные схемы, которые физически кодируют данные, подлежащие хранению, и поэтому их содержимое невозможно изменить после изготовления.

Программируется на месте

  • Программируемая постоянная память (PROM), или одноразовое программируемое ПЗУ (OTP), можно записать на или запрограммированный через специальное устройство, называемое Программист PROM. Обычно это устройство использует высокое напряжение для постоянного разрушения или создания внутренних каналов (предохранители или антифусы) внутри чипа. Следовательно, PROM можно запрограммировать только один раз.
  • Стираемая программируемая постоянная память (EPROM) можно стереть при сильном ультрафиолетовый светится (обычно в течение 10 минут или дольше), а затем переписывается с помощью процесса, для которого снова требуется более высокое, чем обычно, напряжение. Многократное воздействие ультрафиолетового света в конечном итоге приведет к износу EPROM, но выносливость большинства микросхем EPROM превышает 1000 циклов стирания и перепрограммирования. Пакеты микросхем EPROM часто можно определить по заметным кварц «окно», через которое проникает ультрафиолетовый свет. После программирования окно обычно закрывается этикеткой, чтобы предотвратить случайное стирание. Некоторые микросхемы EPROM стираются на заводе-изготовителе перед упаковкой и не имеют окна; это фактически PROM.
  • Электрически стираемая программируемая постоянная память (EEPROM) основана на полупроводниковой структуре, аналогичной структуре EPROM, но позволяет все ее содержимое (или выбранное банки) должны быть электрически стерты, а затем перезаписаны электрически, чтобы их не нужно было удалять с компьютера (будь то универсальный компьютер или встроенный компьютер в камеру, MP3-плеер и т. д.). Написание или мигающий EEPROM намного медленнее (миллисекунды на бит), чем чтение из ROM или запись в RAM (наносекунды в обоих случаях).
    • Электрически изменяемая постоянная память (EAROM) - это тип EEPROM, который можно изменить. немного вовремя. Запись - очень медленный процесс и снова требует более высокого напряжения (обычно около 12 V), чем используется для чтения. EAROM предназначены для приложений, требующих нечастой и частичной перезаписи. EAROM может использоваться как энергонезависимый хранилище важной информации о настройке системы; во многих приложениях EAROM был заменен CMOS баран поставляется сетевое питание и подкреплен литиевая батарейка.
    • Флэш-память (или просто вспышка) представляет собой современный тип EEPROM, изобретенный в 1984 году. Флэш-память может стираться и перезаписываться быстрее, чем обычная EEPROM, а новые конструкции обладают очень высокой долговечностью (превышающей 1 000 000 циклов). Современный NAND flash эффективно использует площадь кремниевого чипа, в результате чего отдельные ИС имеют емкость до 32 ГБ с 2007 г.; эта функция, наряду с ее выносливостью и физической прочностью, позволила флеш-памяти NAND заменить магнитный в некоторых приложениях (например, USB-накопители). НЕ мигает память иногда называют прошить ROM или прошить EEPROM при использовании в качестве замены старых типов ПЗУ, но не в приложениях, которые используют его способность быстро и часто изменяться.

Применяя защита от записи, некоторые типы перепрограммируемых ПЗУ могут временно стать постоянным запоминающим устройством.

Прочие технологии

Существуют и другие типы энергонезависимой памяти, которые не основаны на технологии твердотельных ИС, в том числе:

ПЗУ матрицы преобразователя (TROS) из IBM System 360/20
  • Диодная матрица ПЗУ, использовавшееся в небольших количествах во многих компьютерах в 1960-х годах, а также в электронном столе. калькуляторы и кодеры клавиатуры для терминалы. Это ПЗУ было запрограммировано путем установки дискретных полупроводниковых диодов в выбранных местах между матрицей следы словарной строки и следы битовых линий на печатная плата.
  • Резистор, конденсатор, или трансформатор матричное ПЗУ, использовавшееся во многих компьютерах до 1970-х годов. Как и ПЗУ диодной матрицы, он был запрограммирован путем размещения компонентов в выбранных местах между матрицей словарные строки и битовые линии. ENIACТаблицы функций представляли собой ПЗУ матрицы резисторов, запрограммированных вручную с помощью поворотных переключателей. Различные модели IBM Система / 360 и сложные периферийные устройства хранили свои микрокод в любом конденсаторе (называемом BCROS за симметричный конденсатор, доступ только для чтения на 360/50 и 360/65, или CCROS за конденсатор карты постоянное хранилище на 360/30) или трансформатор (называемый TROS за трансформатор только для чтения на 360/20, 360/40 и др.) матрица ПЗУ.
  • Основная веревка, форма преобразователя матричной технологии ПЗУ, используемая там, где размер и вес были критическими. Это использовалось в НАСА/Массачусетский технологический институтс Компьютеры для космических кораблей Apollo, DECс PDP-8 компьютеры, Hewlett-Packard 9100A калькулятор и другие места. Этот тип ПЗУ был запрограммирован вручную путем плетения «проводов словарной линии» внутри или снаружи феррит сердечники трансформатора.
  • Магазины Diamond Ring, в которых провода пропущены через последовательность больших ферритовых колец, которые действуют только как чувствительные устройства. Они использовались в TXE телефонные станции.


Скорость

Хотя относительная скорость RAM по сравнению с ROM менялась со временем, по состоянию на 2007 г. большие чипы RAM читаются быстрее, чем большинство ROM. По этой причине (и для обеспечения единообразного доступа) содержимое ПЗУ иногда копируется в ОЗУ или затененный перед первым использованием и впоследствии считываются из ОЗУ.

Письмо

Для тех типов ПЗУ, которые можно электрически модифицировать, скорость записи традиционно была намного ниже скорости чтения, и для этого может потребоваться необычно высокое напряжение, перемещение перемычек для подачи сигналов разрешения записи и специальные коды команд блокировки / разблокировки. Modern NAND Flash обеспечивает наивысшую скорость записи среди всех технологий перезаписываемых ПЗУ, достигая 10 ГБ/sэто стало возможным благодаря увеличению инвестиций как в потребительские, так и в корпоративные твердотельные накопители и продукты флэш-памяти для мобильных устройств более высокого класса. На техническом уровне выигрыш был достигнут за счет увеличения параллелизма как в конструкции контроллера, так и в системе хранения, использования больших кэшей чтения / записи DRAM и реализации ячеек памяти, которые могут хранить более одного бита (DLC, TLC и MLC). Последний подход более подвержен сбоям, но это в значительной степени смягчено за счет избыточного выделения ресурсов (включение резервной емкости в продукт, которая видна только контроллеру накопителя) и за счет усложнения алгоритмов чтения / записи во встроенном ПО накопителя.

Выносливость и сохранение данных

Поскольку они записываются, заставляя электроны проходить через слой электрическая изоляция на плавающий затвор транзистораперезаписываемые ПЗУ могут выдержать лишь ограниченное количество циклов записи и стирания, прежде чем изоляция будет повреждена навсегда. В самых ранних EPROM это могло произойти всего после 1000 циклов записи, тогда как в современных Flash EEPROM срок службы может превышать 1000000. Ограниченный срок службы, а также более высокая стоимость битов означают, что флэш-память вряд ли полностью вытеснит магнитные. Дисковый привод в ближайшем будущем.[нужна цитата]

Интервал времени, в течение которого ПЗУ остается точно читаемым, не ограничивается циклической записью. Сохранение данных в EPROM, EAROM, EEPROM и Flash может быть ограничено по времени из-за утечки заряда из плавающие ворота транзисторов ячейки памяти. EEPROM раннего поколения в середине 1980-х годов обычно указывал на срок хранения данных 5 или 6 лет. Обзор EEPROM, предлагаемых в 2020 году, показывает, что производители ссылаются на 100-летнее хранение данных. Неблагоприятные условия сократят время удерживания (утечка ускоряется высокими температурами или радиация ). Маскированное ПЗУ и ППЗУ предохранителя / антипредохранителя не страдают от этого эффекта, поскольку их сохранение данных зависит от физического, а не электрического постоянства интегральной схемы, хотя повторное увеличение предохранителя когда-то было проблемой в некоторых системах.[14]

Изображения контента

Основная статья: Образ ПЗУ

Содержимое микросхем ПЗУ можно извлечь с помощью специальных аппаратных устройств и соответствующего управляющего программного обеспечения. Это обычная практика, в качестве основного примера, при чтении содержимого старого видео. игровая консоль патроны. Другой пример - создание резервных копий прошивок / ПЗУ ОС со старых компьютеров или других устройств - для архивных целей, поскольку во многих случаях исходные микросхемы являются ППЗУ и, следовательно, подвержены риску превышения срока их пригодности для использования.

Полученные файлы дампа памяти известны как Образы ROM или сокращенно ПЗУ, и может использоваться для создания дубликатов ПЗУ - например, для производства новых картриджей или цифровых файлов для воспроизведения в эмуляторы консоли. Период, термин Образ ПЗУ возникла, когда большинство консольных игр распространялось на картриджах, содержащих микросхемы ПЗУ, но получила такое широкое распространение, что до сих пор применяется к изображениям новых игр, распространяемых на CD-ROM или другой оптический носитель.

Образы ПЗУ коммерческих игр, микропрограмм и т. Д. Обычно содержат программное обеспечение, защищенное авторскими правами. Несанкционированное копирование и распространение программного обеспечения, защищенного авторским правом, является нарушением Авторские права законов во многих юрисдикциях, хотя дублирование резервный цели могут рассматриваться добросовестное использование в зависимости от местоположения. В любом случае существует процветающее сообщество, занимающееся распространением и продажей такого программного обеспечения и отказаться от ПО для сохранения / обмена.

Лента новостей

Смотрите также: Флэш-память § Временная шкала, Оперативная память § Временная шкала, и Количество транзисторов § Память
Дата введенияНазвание чипаВместимость (биты)Тип ПЗУМОП-транзисторПроизводитель (и)ОбработатьПлощадьСсылка
1956??ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР?Arma??[2][3]
1965?256 битПЗУБиполярный TTLСильвания??[15]
1965?1 kbПЗУMOSGeneral Microelectronics??
196933011 кбПЗУБиполярныйIntel??[15]
1970?512 битВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕРБиполярный TTLРадиация??[6]
197117022 кбEPROMСтатический MOS (кремниевый затвор)Intel?15 мм²[6][16]
1974?4 кбПЗУMOSAMD, Общий инструмент??[15]
1974??EAROMMNOSОбщий инструмент??[6]
197527088 кбEPROMNMOS (ФГМОС)Intel??[17][18]
1976?2 кбEEPROMMOSToshiba??[19]
1977µCOM-43 (PMOS)16 кбВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕРPMOSNEC??[20]
1977271616 кбEPROMTTLIntel??[21][22]
1978EA8316F16 кбПЗУNMOSЭлектронные массивы?436 мм²[15][23]
1978µCOM-43 (CMOS)16 кбВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕРCMOSNEC??[20]
1978273232 кбEPROMNMOS (HMOS)Intel??[17][24]
1978236464 кбПЗУNMOSIntel??[25]
1980?16 кбEEPROMNMOSMotorola4000 нм?[17][26]
1981276464 кбEPROMNMOS (HMOS II)Intel3,500 нм?[17][26][27]
1982?32 кбEEPROMMOSMotorola??[26]
198227128128 кбEPROMNMOS (HMOS II)Intel??[17][26][28]
1983?64 кбEPROMCMOSПечатки3000 нм?[26]
198327256256 кбEPROMNMOS (HMOS)Intel??[17][29]
1983?256 кбEPROMCMOSFujitsu??[30]
Январь 1984 г.MBM 276464 кбEEPROMNMOSFujitsu?528 мм²[31]
1984?512 кбEPROMNMOSAMD1700 нм?[26]
198427512512 кбEPROMNMOS (HMOS)Intel??[17][32]
1984?1 МБEPROMCMOSNEC1200 нм?[26]
1987?4 МбEPROMCMOSToshiba800 нм?[26]
1990?16 МбEPROMCMOSNEC600 нм?[26]
1993?8 МбMROMCMOSHyundai??[33]
1995?1 МбEEPROMCMOSHitachi??[34]
1995?16 МбMROMCMOSАКМ, Hitachi??[34]

Смотрите также

Примечания

  1. ^ Некоторые дискретные компонентные ПЗУ могут быть изменены механически, например, путем добавления и удаления трансформаторов. Однако ПЗУ ИС нельзя заменить механически.

использованная литература

  1. ^ "Определение flash ROM из энциклопедии журнала PC". pcmag.com. Архивировано из оригинал 10 ноября 2013 г.
  2. ^ а б Хан-Вэй Хуан (5 декабря 2008 г.). Проектирование встроенных систем с C805. Cengage Learning. п. 22. ISBN 978-1-111-81079-5. В архиве с оригинала от 27 апреля 2018 г.
  3. ^ а б Мари-Од Ауфор; Эстебан Зимани (17 января 2013 г.). Бизнес-аналитика: Вторая европейская летняя школа, eBISS 2012, Брюссель, Бельгия, 15-21 июля 2012 г., Учебные лекции. Springer. п. 136. ISBN 978-3-642-36318-4. В архиве с оригинала от 27 апреля 2018 г.
  4. ^ «1960 - Демонстрация металлооксидного полупроводникового (МОП) транзистора». Кремниевый двигатель. Музей истории компьютеров.
  5. ^ «Транзисторы - обзор». ScienceDirect. Получено 8 августа 2019.
  6. ^ а б c d «1971: введено многоразовое полупроводниковое ПЗУ». Музей истории компьютеров. Получено 19 июн 2019.
  7. ^ Tarui, Y .; Hayashi, Y .; Нагаи, К. (1972). «Электрически перепрограммируемая энергонезависимая полупроводниковая память». Журнал IEEE по твердотельным схемам. 7 (5): 369–375. Bibcode:1972IJSSC ... 7..369T. Дои:10.1109 / JSSC.1972.1052895. ISSN 0018-9200.
  8. ^ «1987: Toshiba запускает NAND Flash». eWEEK.
  9. ^ Детлев Рихтер (12 сентября, 2013). «Глава 2. Основы энергонезависимой памяти». Flash Memories: экономические принципы производительности, стоимости и надежности. Springer Science & Business Media. п. 6.
  10. ^ См. Стр. 6 Toshiba's 1993 г. Руководство по разработке приложений NAND Flash В архиве 2009-10-07 на Wayback Machine.
  11. ^ См. Главы «Комбинаторные цифровые схемы» и «Последовательные цифровые схемы» в Millman & Grable, Микроэлектроника, 2-е изд.
  12. ^ Пол Горовиц, Уинфилд Хилл, Искусство электроники (третье издание), Издательство Кембриджского университета, ISBN 0-521-37095-7, стр. 817
  13. ^ «Технологический анализ: Oki P2ROM для замены Mask ROM, Flash EEPROM» В архиве 2007-10-21 на Wayback Machine Мотоюки Оиси, 2003 г.
  14. ^ "Память Ic". прозрачныйc. В архиве из оригинала 12 июля 2016 г.. Получено 22 июля 2016.
  15. ^ а б c d «1965: появляются полупроводниковые микросхемы памяти только для чтения». Музей истории компьютеров. Получено 20 июн 2019.
  16. ^ "1702A Лист данных" (PDF). Intel. Получено 6 июля 2019.
  17. ^ а б c d е ж г «Хронологический список продуктов Intel. Продукты отсортированы по дате» (PDF). Музей Intel. Корпорация Intel. Июль 2005 г. Архивировано с оригинал (PDF) 9 августа 2007 г.. Получено 31 июля, 2007.
  18. ^ "2708 Лист данных" (PDF). Intel. Получено 6 июля 2019.
  19. ^ Iizuka, H .; Масуока, Ф .; Сато, Тай; Исикава, М. (1976). «Электрически изменяемая МОП-память типа« лавинная инъекция », ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ, со структурой многоэлементного затвора». Транзакции IEEE на электронных устройствах. 23 (4): 379–387. Bibcode:1976ITED ... 23..379I. Дои:10.1109 / T-ED.1976.18415. ISSN 0018-9383.
  20. ^ а б ОДНОЧИПНЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР µCOM-43: РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ (PDF). Микрокомпьютеры NEC. Январь 1978 г.. Получено 27 июн 2019.
  21. ^ «Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)» (PDF). Intel. 2003 г.. Получено 26 июн 2019.
  22. ^ "2716: 16K (2K x 8) УФ-СТИРАЕМЫЙ ПЗУ" (PDF). Intel. Получено 27 июн 2019.
  23. ^ "КАТАЛОГ 1982" (PDF). NEC Electronics. Получено 20 июн 2019.
  24. ^ "2732A Лист данных" (PDF). Intel. Получено 6 июля 2019.
  25. ^ Каталог данных компонентов (PDF). Intel. 1978. С. 1–3.. Получено 27 июн 2019.
  26. ^ а б c d е ж г час я "Объем памяти". STOL (Полупроводниковые технологии в Интернете). Получено 25 июн 2019.
  27. ^ "2764A Лист данных" (PDF). Intel. Получено 6 июля 2019.
  28. ^ "27128A Лист данных" (PDF). Intel. Получено 6 июля 2019.
  29. ^ "27256 Лист данных" (PDF). Intel. Получено 2 июля 2019.
  30. ^ «История полупроводникового бизнеса Fujitsu». Fujitsu. Получено 2 июля 2019.
  31. ^ «МБМ 2764» (PDF). Fujitsu. Январь 1984 г.. Получено 21 июн 2019.
  32. ^ "D27512-30 Лист данных" (PDF). Intel. Получено 2 июля 2019.
  33. ^ «История: 1990-е». СК Хайникс. Получено 6 июля 2019.
  34. ^ а б "Профили японских компаний" (PDF). Смитсоновский институт. 1996. Получено 27 июн 2019.