WikiDer > Склеивание с активацией поверхности

Surface activated bonding

Склеивание с активацией поверхности (САБ) - низкая температура соединение пластин технология с атомарно чистыми и активированными поверхностями. Активация поверхности перед склеиванием с помощью бомбардировка быстрыми атомами обычно используется для очистки поверхностей. Высокая прочность склеивания полупроводник, металл, и диэлектрик можно получить даже при комнатной температуре.[1][2]

Обзор

В стандартном методе SAB поверхность пластины активируется аргоном. бомбардировка быстрыми атомами в сверхвысокий вакуум (UHV) из 10−4–10−7 Па. Бомбардировка удаляет адсорбированные загрязнения и естественные оксиды с поверхностей. Активированные поверхности являются атомарно чистыми и реактивными для образования прямых связей между пластинами при их контакте даже при комнатной температуре.

Исследования на САБ

Метод SAB был изучен для склеивания различных материалов, как показано в таблице I.

Таблица I. Исследования стандартных САБ для различных материалов.
SiGeGaAsSiCCuAl2О3SiO2
Si[3][4][5][6][7][8]
Ge[9]
GaAs[5][10]
SiC[6][10][11]
Cu[12][13]
Al2О3[7][8][7]
SiO2Отказ[7]

Стандартный SAB, однако, не смог связать некоторые материалы, такие как SiO.2 и полимерные пленки. Модифицированный SAB был разработан для решения этой проблемы за счет использования промежуточного слоя Si, нанесенного методом распыления, для улучшения прочности связи.

Таблица II. Модифицированный SAB с промежуточным слоем Si
Связующий промежуточный слойРекомендации
SiO2-SiO2Напыленный Fe-Si на SiO2[14]
Полимерные пленкиНапыленный Fe-Si с обеих сторон[15][16][17]
Si-SiCНапыленный Si на SiC[18]
Si-SiO2Напыленный Si на SiO2[19]

Комбинированный САБ был разработан для SiO2-SiO2 и Cu / SiO2 гибридное склеивание без использования промежуточного слоя.

Таблица III. Комбинированный САБ с использованием пучка Si-содержащего аргона
Связь интерфейсРекомендации
SiO2-SiO2Интерфейс прямого связывания[20]
Cu-Cu, SiO2-SiO2, SiO2-SiNИкспрямой интерфейс облигаций[21]

Технические характеристики

Материалы
  • Полупроводник: Si-Si,[3][4] Ге-Ге,[9] GaAs-SiC,[10] SiC-SiC,[11] Si-SiC,[6][18] и Т. Д.
  • Металл: Al-Al, Cu-Cu,[12][13] и Т. Д.
  • Диэлектрик: полимерные пленки,[16][17] SiO2,[20][22] и Т. Д.
  • Гибрид Cu / Диэлектрик: Cu / SiO2 и Cu / SiO2/ SiNИкс[21]
Преимущества
  • Низкая температура процесса: комнатная температура –200 ° C
  • Никаких опасений по поводу термического напряжения и повреждений
  • Высокое качество склеивания
  • Соединения полупроводников и металлов без оксидов
  • Полностью сухой процесс без влажной химической очистки
  • Совместимость процесса с полупроводниковой технологией
Недостатки
  • Уровень высокого вакуума (10−4–10−7 Па)

Рекомендации

  1. ^ «Машина для склеивания пластин при комнатной температуре BOND MEISTER ｜ Mitsubishi Heavy Industries Machine Tool Co., Ltd». www.mhi-machinetool.com.
  2. ^ Ltd, Mitsubishi Heavy Industries. «MHI разрабатывает первую в мире машину для склеивания 12-дюймовых пластин | Глобальный веб-сайт Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.». Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.
  3. ^ а б Takagi, H .; Kikuchi, K .; Maeda, R .; Chung, T. R .; Шуга, Т. (1996-04-15). «Поверхностное соединение кремниевых пластин при комнатной температуре». Письма по прикладной физике. 68 (16): 2222–2224. Bibcode:1996АпФЛ..68.2222Т. Дои:10.1063/1.115865. ISSN 0003-6951.
  4. ^ а б Ван, Чэньси; Шуга, Тадатомо (01.05.2011). «Прямое соединение при комнатной температуре с использованием активации фторсодержащей плазмой» (PDF). Журнал Электрохимического общества. 158 (5): H525 – H529. Дои:10.1149/1.3560510. ISSN 0013-4651.
  5. ^ а б Дж. Лян, Т. Миядзаки, М. Моримото, С. Нисида, Н. Ватанабе и Н. Шигекава, «Электрические свойства гетеропереходов p-Si / n-GaAs с использованием поверхностно-активированного соединения». Appl. Phys. выражать, т. 6, вып. 2, стр. 021801, февраль 2013 г. Доступно: http://dx.doi.org/10.7567/APEX.6.021801
  6. ^ а б c Liang, J .; Nishida, S .; Arai, M .; Сигекава, Н. (21 апреля 2014 г.). «Влияние процесса термического отжига на электрические свойства гетеропереходов p + -Si / n-SiC». Письма по прикладной физике. 104 (16): 161604. Bibcode:2014АпФЛ.104п1604Л. Дои:10.1063/1.4873113. ISSN 0003-6951. S2CID 56359750.
  7. ^ а б c d Х. Такаги, Дж. Утсуми, М. Такахаши и Р. Маэда, «Склеивание оксидных пластин при комнатной температуре путем активации поверхности аргоном», ECS Trans., т. 16, нет. 8, pp. 531–537, октябрь 2008 г. Доступно: http://dx.doi.org/10.1149/1.2982908
  8. ^ а б Итикава, Масацугу; Фудзиока, Акира; Косуги, Такао; Эндо, Шинья; Сагава, Харунобу; Тамаки, Хирото; Мукаи, Такаши; Уомото, Миюки; Шимацу, Такехито (2016). «Сборка мощных светодиодов глубокого ультрафиолетового излучения с использованием прямого соединения». Прикладная физика Экспресс. 9 (7): 072101. Bibcode:2016APExp ... 9g2101I. Дои:10.7567 / apex.9.072101.
  9. ^ а б Хигураши, Эйдзи; Сасаки, Юта; Кураяма, Рюдзи; Шуга, Тадатомо; Дои, Ясуо; Саваяма, Ёсихиро; Хосако, Ивао (01.03.2015). «Прямое соединение германиевых пластин при комнатной температуре методом поверхностно-активированного соединения». Японский журнал прикладной физики. 54 (3): 030213. Bibcode:2015JaJAP..54c0213H. Дои:10.7567 / jjap.54.030213.
  10. ^ а б c Хигураши, Эйдзи; Окумура, Кен; Накасудзи, Каори; Шуга, Тадатомо (01.03.2015). «Поверхностное соединение пластин GaAs и SiC при комнатной температуре для улучшения рассеивания тепла в мощных полупроводниковых лазерах». Японский журнал прикладной физики. 54 (3): 030207. Bibcode:2015JaJAP..54c0207H. Дои:10.7567 / jjap.54.030207.
  11. ^ а б Mu, F .; Iguchi, K .; Nakazawa, H .; Takahashi, Y .; Fujino, M .; Шуга, Т. (30 июня 2016 г.). "Прямое соединение SiC-SiC в пластинах SAB для монолитной интеграции SiC MEMS и электроники". Журнал ECS по науке и технологиям твердого тела. 5 (9): P451 – P456. Дои:10.1149 / 2.0011609jss.
  12. ^ а б Kim, T. H .; Howlader, M. M. R .; Ито, Т .; Шуга, Т. (2003-03-01). «Прямое соединение Cu – Cu при комнатной температуре с использованием метода поверхностно-активированного соединения». Журнал вакуумной науки и технологий A. 21 (2): 449–453. Bibcode:2003JVST ... 21..449K. Дои:10.1116/1.1537716. ISSN 0734-2101. S2CID 98719282.
  13. ^ а б Shigetou, A .; Ито, Т .; Мацуо, М .; Hayasaka, N .; Окумура, К .; Шуга, Т. (01.05.2006). «Соединение без ударов через сверхмелкозернистые медные электроды методом поверхностно-активируемого соединения (SAB)». IEEE Transactions по расширенной упаковке. 29 (2): 218–226. Дои:10.1109 / TADVP.2006.873138. ISSN 1521-3323. S2CID 27663896.
  14. ^ Р. Конду и Т. Шуга, «Склеивание пластин SiO2 при комнатной температуре методом адгезионного слоя», представленная на конференции по электронным компонентам и технологиям (ECTC), 2011 IEEE 61st, 2011, стр. 2165–2170. Доступно: http://dx.doi.org/10.1109/ECTC.2011.5898819
  15. ^ Т. Мацумаэ, М. Фуджино и Т. Суга, «Метод склеивания полимерной подложки гибкой электроники при комнатной температуре путем активации поверхности с использованием наноадгезионных слоев». Японский журнал прикладной физики, т. 54, нет. 10, стр. 101602, октябрь 2015 г. Доступно: http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.54.101602
  16. ^ а б Мацумаэ, Такаши; Накано, Масаси; Мацумото, Ёсиие; Шуга, Тадатомо (15 марта 2013 г.). «Прикрепление полимера к стеклянным пластинам при комнатной температуре с использованием метода поверхностно-активированного связывания (SAB)». Транзакции ECS. 50 (7): 297–302. Дои:10.1149 / 05007.0297ecst. ISSN 1938-6737.
  17. ^ а б Takeuchi, K .; Fujino, M .; Suga, T .; Коидзуми, М .; Сомея, Т. (01.05.2015). «Прямое приклеивание и отсоединение полимерной пленки на стеклянной пластине при комнатной температуре для изготовления гибких электронных устройств». Конференция по электронным компонентам и технологиям (ECTC), 2015 IEEE 65th: 700–704. Дои:10.1109 / ECTC.2015.7159668. ISBN 978-1-4799-8609-5. S2CID 11395361.
  18. ^ а б Му, Фенвен; Игучи, Кеничи; Накадзава, Харуо; Такахаши, Ёсиказу; Фуджино, Масахиса; Шуга, Тадатомо (2016-04-01). «Склеивание пластин SiC – Si при комнатной температуре путем модифицированной поверхностно-активированной связи с напыленным нанослоем Si». Японский журнал прикладной физики. 55 (4S): 04EC09. Bibcode:2016JaJAP..55dEC09M. Дои:10.7567 / jjap.55.04ec09.
  19. ^ К. Цучияма, К. Ямане, Х. Секигучи, Х. Окада и А. Вакахара, «Изготовление структуры Si / SiO2 / GaN путем поверхностно-активированного соединения для монолитной интеграции оптоэлектронных устройств». Японский журнал прикладной физики, т. 55, нет. 5С, стр. 05FL01, май 2016 г. Доступно: http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.55.05FL01
  20. ^ а б Он, Ран; Фуджино, Масахиса; Ямаути, Акира; Шуга, Тадатомо (2016-04-01). «Комбинированная технология поверхностно-активируемого склеивания для низкотемпературного гидрофильного прямого склеивания пластин». Японский журнал прикладной физики. 55 (4S): 04EC02. Bibcode:2016JaJAP..55dEC02H. Дои:10.7567 / jjap.55.04ec02.
  21. ^ а б Он, Ран; Фуджино, Масахиса; Ямаути, Акира; Ван, Инхуэй; Шуга, Тадатомо (01.01.2016). «Комбинированный метод поверхностно-активированного соединения для низкотемпературного гибридного соединения меди и диэлектрика». Журнал ECS по науке и технологиям твердого тела. 5 (7): P419 – P424. Дои:10.1149 / 2.0201607jss. ISSN 2162-8769. S2CID 101149612.
  22. ^ Он, Ран; Фуджино, Масахиса; Ямаути, Акира; Шуга, Тадатомо (01.03.2015). «Новый гидрофильный SiO2 склеивание пластин с использованием комбинированной техники поверхностно-активированного склеивания ». Японский журнал прикладной физики. 54 (3): 030218. Bibcode:2015JaJAP..54c0218H. Дои:10.7567 / jjap.54.030218.