WikiDer > GDDR4 SDRAM

GDDR4 SDRAM
Эта статья посвящена графической памяти DDR (SGRAM). Для неграфической (динамической) памяти DDR см. DDR4 SDRAM.

GDDR4 SDRAM, сокращение от Графика Двойная скорость передачи данных 4 Синхронная динамическая память с произвольным доступом, это тип видеокарта объем памяти (SGRAM), указанный JEDEC Стандарт полупроводниковой памяти.[1][2] Это среда, конкурирующая с Рамбуса XDR DRAM. GDDR4 основан на DDR3 SDRAM технологии и был предназначен для замены DDR2-основан GDDR3, но в итоге его заменили на GDDR5 В течение года.

История

  • 26 октября 2005 г. Samsung объявила, что разработала первую память GDDR4, 256-битнуюМбит чип работает на 2.5Гбит / с. Samsung также сообщила о планах по созданию образцов и серийному производству GDDR4 SDRAM с пропускной способностью 2,8 Гбит / с на вывод.[3]
  • В 2005 году, Hynix разработал первый 512-мегабитный чип памяти GDDR4.[4]
  • 14 февраля 2006 года Samsung объявила о разработке 32-битной 512-Мбитной памяти GDDR4 SDRAM, способной передавать 3,2 Гбит / с на контакт или 12,8 ГБ / с для модуля.[5]
  • 5 июля 2006 года Samsung объявила о массовом производстве 32-битной 512-Мбитной памяти GDDR4 SDRAM с пропускной способностью 2,4 Гбит / с на контакт или 9,6 ГБ / с для модуля. Несмотря на то, что он разработан для обеспечения производительности XDR DRAM в памяти с большим количеством контактов, он не сможет соответствовать производительности XDR в конструкциях с низким количеством контактов.[6]
  • 9 февраля 2007 года Samsung объявила о массовом производстве 32-битной 512-Мбитной памяти GDDR4 SDRAM с пропускной способностью 2,8 Гбит / с на вывод или 11,2 ГБ / с на модуль. Этот модуль использовался для некоторых AMD открытки.[7]
  • 23 февраля 2007 года Samsung анонсировала 32-битную 512-мегабитную память GDDR4 SDRAM с пропускной способностью 4,0 Гбит / с на контакт или 16 ГБ / с для модуля и ожидает, что к концу 2007 года эта память появится на коммерчески доступных видеокартах.[8]

Технологии

GDDR4 SDRAM представила DBI (инверсия шины данных) и мульти-преамбулу для уменьшения задержки передачи данных. Предварительная выборка увеличен с 4 до 8 бит. Максимальное количество банков памяти для GDDR4 увеличено до 8. Для достижения той же пропускной способности, что и GDDR3 SDRAM, ядро ​​GDDR4 работает вдвое меньшей производительности, чем ядро ​​GDDR3 с той же необработанной пропускной способностью. Напряжение ядра было снижено до 1,5 В.

Инверсия шины данных добавляет дополнительный активный низкий DBI # вывод на адресную / командную шину и каждый байт данных. Если в байте данных более четырех 0 битов, байт инвертируется и сигнал DBI # передается на низком уровне. Таким образом, количество нулевых битов на всех девяти выводах ограничено четырьмя.[9]:9 Это снижает энергопотребление и отскок от земли.

Что касается сигнализации, GDDR4 расширяет буфер ввода-вывода чипа до 8 бит за два цикла, что позволяет увеличить устойчивую полосу пропускания во время пакетной передачи, но за счет значительного увеличения Задержка CAS (CL), определяемая, в основном, двойным уменьшением количества контактов / командных контактов и половинной тактовой частоты ячеек DRAM по сравнению с GDDR3. Количество контактов для адресации было уменьшено вдвое по сравнению с ядром GDDR3, и они использовались для питания и заземления, что также увеличивает задержку. Еще одним преимуществом GDDR4 является энергоэффективность: при работе на скорости 2,4 Гбит / с он потребляет на 45% меньше энергии по сравнению с чипами GDDR3, работающими на скорости 2,0 Гбит / с.

В таблице данных Samsung GDDR4 SDRAM она упоминалась как «GDDR4 SGRAM» или «Graphics Double Data Rate version 4 Synchronous Graphics RAM». Однако функция существенной блочной записи недоступна, поэтому она не классифицируется как SGRAM.

Принятие

Производитель видеопамяти Qimonda (ранее Infineon Подразделение продуктов памяти) заявило, что "пропустит" разработку GDDR4 и перейдет непосредственно к GDDR5.[10]

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ "Поиск стандартов и документов: sgram". www.jedec.org. Получено 9 сентября 2013.
  2. ^ "Поиск стандартов и документов: gddr4". www.jedec.org. Получено 9 сентября 2013.
  3. ^ «Samsung Electronics разрабатывает первую в отрасли сверхбыструю графическую память GDDR4». Samsung Semiconductor. Samsung. 26 октября 2005 г.. Получено 8 июля 2019.
  4. ^ «История: 2000-е». SK Hynix. Получено 8 июля 2019.
  5. ^ Samsung разрабатывает сверхбыструю графическую память: более совершенную GDDR4 с более высокой плотностью
  6. ^ Samsung запускает массовое производство графической памяти GDDR4
  7. ^ Samsung выпускает самую быструю память GDDR-4 SGRAM В архиве 2007-02-12 в Wayback Machine
  8. ^ Samsung разгоняет графическую память до 2000 МГц
  9. ^ Чой, Дж. (2011). DDR4 Mini Workshop (PDF). Форум серверной памяти 2011. Эта презентация посвящена DDR4, а не GDDR4, но в обеих используется инверсия шины данных.
  10. ^ Отчет софтпедии

внешняя ссылка